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公开(公告)号：CN104520995B
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201380041340.2
申请日：2013-06-13
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L27/249 , G06F12/0238 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L21/76877 , H01L27/1052 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 三维存储器装置的垂直转换层用于转换一组垂直局部位线到对应的一组全局位线，垂直转换层是垂直薄膜晶体管(TFT)的TFT沟道的二维阵列，对齐排列以连接到局部位线的阵列，每个TFT转换局部位线到对应的全局位线。阵列中的TFT具有分别沿着x和y轴的分开长度Lx和Ly，从而栅极材料层形成在x‑y平面中的每个TFT周围的围绕栅极，并且使栅极材料层具有的厚度合并以形成沿着x轴的行选择线，而在各行选择线之间保持分开长度Ls。围绕栅极改善了TFT的转换能力。
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公开(公告)号：CN104520930B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201380041322.4
申请日：2013-06-04
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L27/249 , G06F12/0238 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L21/76877 , H01L27/1052 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 一种具有垂直局部位线和全局位线的三维存储器包括形成为垂直结构的薄膜晶体管(TFT)形式的成一线垂直开关，以将局部位线转换到全局位线。TFT实施为由强连接选择栅极转换由局部位线携载的最大电流，强连接选择栅极必须配合在局部位线周围的空间内。选择栅极的最大厚度用沿着x方向从局部位线的两侧专门占据该空间的选择栅极实现。一行的用于奇数和偶数位线的开关交错排列且在z方向偏移，从而偶数和奇数局部位线的选择栅极沿着x方向不重合。卷绕的选择栅极进一步增强了转换。
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公开(公告)号：CN104662663B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201380041348.9
申请日：2013-06-12
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
CPC分类号： H01L27/249 , G06F12/0238 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L21/76877 , H01L27/1052 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 在三维(3D)非易失性存储器中，存储器元件布置成三维图案，由具有x、y和z方向的直角坐标限定，并且在z方向，从底平面到顶平面的多个平行平面堆叠在半导体基板之上；多个局部位线，在z方向延伸通过多个层，并且布置成位线柱的二维矩形阵列，具有在x方向的行和在y方向的列；该3D非易失性存储器还具有多个阶梯字线，在y方向分隔开且在该多个位线柱之间并在多个交叉点与该多个位线柱分开，各阶梯字线的每一个具有一系列的交替台阶和阶升，该一系列的交替台阶和阶升分别在x方向和z方向延伸，横穿过在z方向的该多个平面，每个平面有一段。
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公开(公告)号：CN104520994B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201380041328.1
申请日：2013-06-12
申请人： 桑迪士克科技有限责任公司
IPC分类号： H01L27/24 , G11C13/00 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/249 , G06F12/0238 , G11C5/025 , G11C5/06 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/0023 , G11C2213/71 , H01L21/76877 , H01L27/1052 , H01L27/2454 , H01L45/08 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608
摘要： 三维非易失性存储器具有布置成三维图案的存储器元件，由具有x、y和z方向的直角坐标限定，并且具有在z方向堆叠在半导体基板之上的多个平行平面。它具有垂直局部位线和多个阶梯字线。每个阶梯字线具有一系列交替的段和阶升，该一系列的交替的段和阶升分别在x方向和z方向延伸，横穿过在z方向的该多个平面，每个平面有一段。形成具有阶梯字线的多平面存储器的板层的方法包括为了形成每个平面的一次施加掩模的工艺和两次施加掩模的工艺。
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