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公开(公告)号：CN101238560A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029172.5
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101238560B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680029172.5
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1675775A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN03819519.4
申请日：2003-06-17
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/475 , H01L29/7781 , H01L29/812
Abstract: 提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。
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公开(公告)号：CN101238561A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029192.2
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN100380678C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN03819519.4
申请日：2003-06-17
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/47 , H01L29/872 , H01L21/338 , H01L29/812 , H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/475 , H01L29/7781 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供一种改善了肖特基结电极的耐热性并且功率性能和可靠性优良的GaN系半导体装置。在具有与AlGaN电子供给层(14)接触的肖特基性栅电极(17)的半导体装置中，栅电极(17)为由Ni、Pt、Pd中任一种所形成的第一金属层(171)、由Mo、Pt、W、Ti、Ta、MoSi、PtSi、WSi、TiSi、TaSi、MoN、WN、TiN、TaN的任何一种所形成的第二金属层(172)、由Au、Cu、Al、Pt中任一种所形成的第三金属层的层叠结构。由于第二金属层的材料是高熔点的，其对第一金属层金属和第三金属层金属的相互扩散起阻挡层作用，并抑制因高温动作导致的栅极特性恶化。由于与AlGaN电子供给层(14)连接的第一金属层金属的功函数大，其肖特基势垒高，能够获得良好的肖特基接触。
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公开(公告)号：CN101238561B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200680029192.2
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101976686A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010504353.7
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
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