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公开(公告)号：CN101238560B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680029172.5
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lol，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lol/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101390201B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200680053382.8
申请日：2006-10-25
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/0607 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42316 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种第III族氮化物型场效应晶体管，该场效应晶体管通过在缓冲层中传导残余载流子而降低漏电流分量，并且实现了击穿电压的提高，且提高了沟道的载流子限制效应(载流子限制)以改善夹断特性(以抑制短沟道效应)。例如，在将本发明应用于GaN型场效应晶体管时，除了沟道层的GaN外，还将铝组分向顶部逐渐或阶梯式降低的组分-调制的(组分-梯度)AlGaN层用作缓冲层(异质缓冲)。对于将要制备的FET的栅极长度Lg，选择电子供应层和沟道层的层厚度之和a，以满足Lg/a≥5，并且在这样的情况下，在不超过在沟道层中室温下积累的二维电子气的德布罗意波长的5倍(约500)的范围内选择沟道层的层厚度。
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公开(公告)号：CN101416289A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780011908.0
申请日：2007-03-23
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01L29/8128
Abstract: 一种场效应晶体管(100)包括包含异质结的III－V族氮化物半导体层结构；彼此分离地形成在所述III－V族氮化物半导体层结构上的源电极(105)和漏电极(106)；栅电极(110)，其布置在所述源电极(105)和所述漏电极(106)之间；以及绝缘层(107)，其在所述栅电极(110)和所述漏电极(106)之间的区域内和在所述源电极(105)和所述栅电极(110)之间的区域内，通过与所述III－V族氮化物半导体层结构接触来布置。栅电极(110)的一部分掩埋在所述III－V族氮化物半导体层结构内，并且在所述III－V族氮化物半导体层与所述绝缘层(107)之间的界面的栅电极侧端与所述栅电极(110)隔离。
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公开(公告)号：CN101331599A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200680047375.7
申请日：2006-12-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/66462
Abstract: 一种半导体器件(100)，具有：未掺杂GaN沟道层(105)、与未掺杂GaN沟道层(105)接触的AlGaN电子施主层(106)、提供在AlGaN电子施主层(106)上的未掺杂GaN层(107)、提供在未掺杂GaN层(107)上并彼此间隔开的源电极(101)和漏电极(103)、提供在源电极(101)和漏电极(103)之间的区域中并穿透未掺杂GaN层(107)的凹槽(111)、埋入凹槽(111)并在其底部表面与AlGaN电子施主层(106)相接触的栅电极(102)、以及在栅电极(102)和漏电极(103)之间区域中提供在未掺杂GaN层(107)上的SiN膜(108)。
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公开(公告)号：CN101416290B
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200780012035.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/812 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 公开了一种HJFET？110，其包括：由InyGa1-yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1-xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NS×η×t[cm-2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101416290A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200780012035.5
申请日：2007-03-29
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L21/28 , H01L29/812 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003
Abstract: 公开了一种HJFET 110，其包括：由InyGa1－yN(0≤y≤1)构成的沟道层12；由AlxGa1－xN(0≤x≤1)构成的载流子供应层13，所述载流子供应层13提供在所述沟道层12上方并且包括至少一个p型层；以及源电极15S、漏电极15D和栅电极17，它们设置成通过所述p型层面向所述沟道层12，并提供在所述载流子供应层13上方。满足下面的关系表达式：5.6×1011x＜NA×η×t[cm－2]＜5.6×1013x，其中x表示所述载流子供应层的Al组分比例，t表示所述p型层的厚度，NA表示杂质浓度，以及η表示活化比率。
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公开(公告)号：CN101238560A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029172.5
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/404 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性上显示出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，场效应晶体管包括设置在由GaAs或InP制成的半导体衬底(110)上的由化合物半导体(111)制成的层结构，作为工作层，并采用第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)；第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅长方向上的截面图中，当将第二场极板电极(118)与由第一场极板电极(116)和栅电极(113)组成的结构的上部交叠的交叠区域的在栅长方向上的长度指定为Lo1，和将栅长指定为Lg时，满足0≤Lo1/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101238561A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200680029192.2
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lo1，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lo1/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101238561B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200680029192.2
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能的场效应晶体管。在本发明中，在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
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公开(公告)号：CN101976686A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010504353.7
申请日：2006-06-12
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01L29/812 , H01L29/40
CPC classification number: H01L29/7787 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/802 , H01L29/812
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管。所述场效应晶体管在高压操作以及高频特性方面表现出良好性能。在包括第一场极板电极(116)和第二场极板电极(118)的场效应晶体管(100)中，第二场极板电极(118)包括屏蔽部分(119)，其位于第一场极板电极(116)和漏电极(114)之间的区域中，并用于将第一场极板电极(116)与漏电极(114)屏蔽开。具体地，在栅极长度方向上的截面图上，当将其中第二场极板电极(118)与包括第一场极板电极(116)和栅电极(113)的结构的上部交叠的交叠区域的在栅极长度方向上的长度指定为Lol，和将栅极长度指定为Lg时，满足表示为0≤Lol/Lg≤1的关系。
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