公开(公告)号：CN108886052A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021142.8

申请日：2017-04-03

Applicant: 剑桥电子有限公司

Inventor： 夏令 ,  M·阿西塞 ,  卢斌

IPC: H01L29/66 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66704 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7787

Abstract: 公开了用于在公共衬底上单块集成具有不同阈值电压的多个III‑N晶体管的半导体结构。一种半导体结构，所述半导体结构包括盖层，所述盖层包括多个选择性蚀刻子层，其中每个子层相对于紧接在下方的所述子层可选择性地蚀刻，其中每个子层包含III‑N材料AlxInyGazN(0≤x、y、z≤1)，并且其中至少一个选择性蚀刻子层具有非零的Ga含量(0

公开(公告)号：CN108735810A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810353102.X

申请日：2018-04-19

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三浦喜直 ,  宫本广信

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/28581 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/772 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明提供一种半导体器件和半导体器件的制造方法，使半导体器件的特性得到改善。该半导体器件包括：顺序层叠的由第一氮化物半导体层构成的缓冲层、由第二氮化物半导体层构成的沟道层、以及由第三氮化物半导体层构成的势垒层；以及形成于势垒层之上的由台面型的第四氮化物半导体层构成的帽层。该半导体器件还包括：形成于帽层的一侧之上的源极电极、形成于帽层的另一侧之上的漏极电极、以及形成于帽层之上的第一栅极电极。第一栅极电极和帽层是肖特基接合的。按照这种方式在帽层上提供了肖特基栅极电极即第一栅极电极，以便当施加栅极电压时，向整个帽层施加电场并且耗尽层扩散。因此，可以抑制栅极漏电流。

公开(公告)号：CN105977296A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201510553491.7

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐喜和朗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3105 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66318 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/42364

Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够抑制栅极绝缘膜的绝缘性下降的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体层；第一电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；第二电极，设置在所述半导体层上，且连接于所述半导体层；绝缘膜，设置在所述半导体层上；以及第三电极，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，且介隔所述绝缘膜而设置在所述半导体层上。所述绝缘膜具有：第一层，在所述第一电极与所述第二电极之间设置在所述半导体层侧，且含有硅氮化物；以及第二层，在所述第一电极与所述第三电极之间及所述第二电极与所述第三电极之间设置在所述第一层上，含有硅氮化物，且比所述第一层含有更多氧。

公开(公告)号：CN105097910A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510413172.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 工业和信息化部电子第五研究所

Inventor： 曾畅 ,  黄云 ,  王远声 ,  廖雪阳 ,  李汝冠 ,  来萍 ,  苏伟 ,  陈义强 ,  恩云飞

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/43

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/432

Abstract: 本发明涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管的栅电极，包括依次连接的氮化镓层、势垒层、势垒金属层、栅帽金属层，以及设于所述势垒金属层和所述栅帽金属层之间的应力缓冲层；所述应力缓冲层包括缓冲金属层，所述缓冲金属层的热膨胀系数与所述势垒层以及势垒金属层的热膨胀系数相差在预设范围内。本发明充分考虑热失配对GaN基HEMT的影响，在GaN基HEMT栅电极势垒金属层和栅帽金属层间插入应力缓冲层，应力缓冲层在选材时应注重其热学特性参数，使应力缓冲层能够承受热失配导致的张应力，从而大幅度降低势垒层和势垒金属层中的张应力，避免因热失配产生的裂纹，提升GaN基HEMT器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102163620B

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201110034838.9

申请日：2011-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 麦西亚斯·派斯雷克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/49 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/122 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7783 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844

Abstract: 本发明关于一种n沟道晶体管及反相器电路。在一实施例中，n沟道晶体管包括一分立空穴能阶(H0)的第一半导体层：具有一导电带最小值(EC2)的第二半导体层；设置于第一和第二半导体层之间的宽能隙半导体阻障层；设置于第一半导体层之上的栅极介电层；以及一设置于栅极介电层上且具有有效功函数的栅极金属层，其中为了施予栅极金属层零偏压并获得n端特性，选择有效功函数的栅极金属层使分立空穴能阶(H0)低于传导带最小值(Ec2)。本发明在高性能、低操作功率、以及低备用电源下可有利于运用，并在任何运用一或多个晶体管的电子装置及/或电路中可善加使用。

公开(公告)号：CN101976684B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010273937.8

申请日：2007-11-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 森田竜夫 ,  柳原学 ,  石田秀俊 ,  上本康裕 ,  上野弘明 ,  田中毅 ,  上田大助

IPC: H01L29/778 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/739 ,  H01L29/8124

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其驱动方法。该半导体装置包括：形成在衬底(11)上、具有沟道区域的半导体层叠层体(13)，在半导体层叠层体(13)上相互有间隔地形成的第一电极(16A)和第二电极(16B)，形成在第一电极(16A)和第二电极(16B)之间的第一栅电极(18A)，以及形成在第一栅电极(18A)和第二电极(16B)之间的第二栅电极(18B)。在半导体层叠层体(13)和第一栅电极(18A)之间形成有具有p型导电性的第一控制层(19A)。

公开(公告)号：CN101931006B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN201010207331.4

申请日：2010-06-17

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： G·施米特

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/408 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/739

Abstract: 本发明涉及具有非晶半绝缘沟道控制层的晶体管部件。公开一种具有控制结构的晶体管部件，该控制结构具有在电流流动方向上沿沟道区延伸的非晶半绝缘材料沟道控制层。

公开(公告)号：CN102769034A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201210135923.9

申请日：2012-05-03

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： 吉贝托·库拉托拉 ,  奥利弗·黑贝伦 ,  詹毛罗·波佐维沃

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/42356 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种常关型高电子迁移率晶体管，包括：第一III-V半导体材料区；在第一区上的第二III-V半导体材料区；在第二区上的第三III-V半导体材料区；以及相邻于第三区的至少一个侧壁的栅电极。第一区提供了晶体管的沟道。第二区具有比第一区带隙宽的带隙，并且引起沟道中的2D电子气（2DEG）。第二区介于第一区和第三区之间。第三区提供了晶体管的栅极，并且具有足以耗尽沟道中2D电子气的厚度，从而使得晶体管具有正阈值电压。

公开(公告)号：CN1557024B

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN02818502.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 美商克立股份有限公司

Inventor： P·帕里克 ,  U·米史拉 ,  吴益逢

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/432 ,  H01L29/518 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明所揭示的AlGaN/GaN HEMT具有一很薄的AlGaN层，以降低陷阱捕捉，而且还具有额外层，以降低栅极漏电流并增加最大驱动电流。依据本发明的一HEMT包括一高电阻半导体层(20)，其上具有一势迭半导体层(18)。势迭层(18)具有比高电阻层(20)还宽的能隙，并在各层之间形成一二维电子气(22)。源极和漏极触点(13，14)接触势迭层(18)，势迭层(18)的一部分表面未被触点(13，14)覆盖。一绝缘层(24)在势迭层(18)的未覆盖表面上，而一栅极触点(16)在绝缘层(24)上。绝缘层(24)对栅极漏电流形成阻障，并帮助增加HEMT的最大电流驱动力。本发明也包括本发明HEMT的制作方法。在其中一方法中，HEMT及其绝缘层是用金属有机气相沉积(MOCVD)法制作。在另一方法中，所述绝缘层是在一溅镀室内被溅镀到HEMT的上表面上。

公开(公告)号：CN101689561A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880009134.2

申请日：2008-03-20

Applicant: 威洛克斯半导体公司

Inventor： 迈克尔·墨菲 ,  米兰·波普赫里斯蒂奇

IPC: H01L29/205

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/31683 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底；第一有源层，所述第一有源层设置在所述衬底的上方；以及第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙，使得在所述第一有源层和所述第二有源层之间产生二维电子气层。在所述第二有源层上设置的终止层包括InGaN。在所述终止层上设置源极接触、栅极接触和漏极接触。