公开(公告)号：CN103778955B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310484751.0

申请日：2013-10-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  G·M·弗里茨 ,  H·J·霍维尔 ,  金永希 ,  D·法伊弗 ,  K·P·罗德贝尔

IPC: G11C11/56

CPC classification number: H01L23/576 ,  G06F21/86 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。

公开(公告)号：CN103778955A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310484751.0

申请日：2013-10-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  G·M·弗里茨 ,  H·J·霍维尔 ,  金永希 ,  D·法伊弗 ,  K·P·罗德贝尔

IPC: G11C11/56

CPC classification number: H01L23/576 ,  G06F21/86 ,  H01L27/24 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及具有篡改检测和响应装置的集成电路以及制造这种集成电路的方法。具有篡改检测和响应装置的一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的至少一个存储单元。当所述至少一个光伏电池暴露于辐射时，所述至少一个光伏电池产生电流，该电流引起所述至少一个存储单元的存储状态的改变。具有篡改检测和响应装置的另一种集成电路包括至少一个光伏电池和耦合到所述至少一个光伏电池的反应材料，其中来自所述至少一个光伏电池的电流触发所述反应材料中的放热反应。

公开(公告)号：CN101010781A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029385.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  迈克尔·A.·库伯 ,  菲利普·A.·桑德斯 ,  师利仁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/331 ,  H01L27/01 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1054

Abstract: 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约25原子百分比的高Ge含量的SiGe层的基本无缺陷SGOI衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在SiGe层与低温氧化物层之间形成包含Si、Ge和O元素的键合界面即界面SiGeO层的初始预键合步骤。本发明还提供SGOI衬底以及包括该SGOI衬底的结构。

公开(公告)号：CN103972381B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310492199.X

申请日：2013-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  C.D.迪米特雷科普洛斯 ,  A.格里尔 ,  T.J.麦卡德尔 ,  D.普费弗 ,  K.L.萨恩格 ,  R.L.威斯尼夫

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。

公开(公告)号：CN103972381A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310492199.X

申请日：2013-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  C.D.迪米特雷科普洛斯 ,  A.格里尔 ,  T.J.麦卡德尔 ,  D.普费弗 ,  K.L.萨恩格 ,  R.L.威斯尼夫

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。

公开(公告)号：CN100479191C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200710084669.3

申请日：2007-03-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 布鲁斯·贝内特·多丽斯 ,  杨美基 ,  赵泽安 ,  王敬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L27/092 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L21/28017 ,  H01L29/105

Abstract: 本发明描述了适合在栅极长度小于大约40nm时运行的MOSFET器件及其制造方法。所述MOSFET器件包括由单晶硅基材料形成的接地层。硅基本体层在所述接地层上外延淀积。所述本体层掺杂有和所述接地层相反类型的杂质。所述栅极具有和栅绝缘层直接接触的具有中间能隙功函数的金属。所述栅极被图案化到小于大约40nm的长度，还可能小于20nm。用和所述本体层的掺杂剂相同类型的掺杂剂掺杂所述MOSFET的所述源极和所述漏极。在本发明的CMOS实施方式中，在所述NMOS和所述PMOS器件的栅极中的金属可以是相同的金属。

公开(公告)号：CN1574252A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410049060.9

申请日：2004-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 欧阳齐庆 ,  赵泽安

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/772 ,  H01L27/04

Abstract: 描述了场效应晶体管的应变的横向沟道、场效应晶体管以及CMOS电路的结构及形成方法，包含在单晶半导体衬底上形成的漏、本体和源区，其中在晶体管的源和本体之间形成异质结，其中源区和沟道相对于本体区独立地产生晶格应变。本发明减少了经由异质结来自源区的漏电流和晶格应变有关的问题，同时通过选择半导体材料和合金组分独立地允许沟道中的晶格应变以增加迁移率。

公开(公告)号：CN1373499A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN01141207.0

申请日：2001-09-28

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 唐纳德·F·卡纳贝利 ,  盖伊·M.·科恩 ,  黄丽娟 ,  约翰·A.·奥托 ,  迈克尔·F.·罗法罗 ,  赵泽安

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/02074 ,  B24B37/345 ,  B24B49/006 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76251

Abstract: 描述一种包括一个半导体衬底、一个CMP工具、一个刷洗清洁工具与一个化学晶片清洁工具的方法与装置。CMP工具在1psi的向下力、0.5psi的背侧空气压力、50rpm的台板转速、30rpm的载体转速与140毫升/分的抛光浆料流速下进行工作。

公开(公告)号：CN100461446C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510079456.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  赵泽安 ,  科恩·里姆 ,  师利仁

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。

公开(公告)号：CN100397596C

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200410049060.9

申请日：2004-06-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 欧阳齐庆 ,  赵泽安

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/772 ,  H01L27/04

Abstract: 描述了场效应晶体管的应变的横向沟道、场效应晶体管以及CMOS电路的结构及形成方法，包含在单晶半导体衬底上形成的漏、本体和源区，其中在晶体管的源和本体之间形成异质结，其中源区和沟道相对于本体区独立地产生晶格应变。本发明减少了经由异质结来自源区的漏电流和晶格应变有关的问题，同时通过选择半导体材料和合金组分独立地允许沟道中的晶格应变以增加迁移率。