公开(公告)号：CN103972381B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310492199.X

申请日：2013-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  C.D.迪米特雷科普洛斯 ,  A.格里尔 ,  T.J.麦卡德尔 ,  D.普费弗 ,  K.L.萨恩格 ,  R.L.威斯尼夫

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。

公开(公告)号：CN103972381A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310492199.X

申请日：2013-10-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  C.D.迪米特雷科普洛斯 ,  A.格里尔 ,  T.J.麦卡德尔 ,  D.普费弗 ,  K.L.萨恩格 ,  R.L.威斯尼夫

IPC: H01L43/14 ,  H01L43/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/335 ,  H01L29/772 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/775 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02606 ,  H01L21/30 ,  H01L21/3081 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/66 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78684 ,  H01L43/065 ,  H01L43/14 ,  H01L51/00 ,  H01L51/0018 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 本发明公开了装置结构及其形成方法。霍尔效应装置和场效晶体管形成为包含碳基纳米结构层，例如碳纳米管和/或石墨烯，其上形成有牺牲金属层，以在处理期间保护碳基纳米结构层。