公开(公告)号：CN1300853C

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200410058816.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 凯思琳·W·瓜利尼 ,  杨美基 ,  师利仁 ,  杨敏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/76283

Abstract: 本发明提供制作在具有不同晶体取向的SOI衬底上的集成半导体器件，对特定的器件可提供优化的性能.具体说来，所提供的集成半导体结构至少包含一个SOI衬底，校衬底具有第一晶体取向的上半导体层和第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料层与上半导体层基本上是共面的并有基本相同的厚度，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同，此SOI衬底由晶片键合、离子注入和退火制成。

公开(公告)号：CN1581497A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410058816.6

申请日：2004-07-30

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 凯思琳·W·瓜利尼 ,  杨美基 ,  师利仁 ,  杨敏

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76275 ,  H01L21/76267 ,  H01L21/76283

Abstract: 本发明提供制作在具有不同晶体取向的SOI衬底上的集成半导体器件，对特定的器件可提供优化的性能。具体说来，所提供的集成半导体结构至少包含一个SOI衬底，该衬底具有第一晶体取向的上半导体层和第二晶体取向的半导体材料，其中半导体材料层与上半导体层基本上是共面的并有基本相同的厚度，并且第一晶体取向与第二晶体取向不同。此SOI衬底由晶片键合、离子注入和退火制成。

公开(公告)号：CN101256949A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810002269.8

申请日：2008-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  安娜·W.·托普尔 ,  阿尔伯特·M.·杨 ,  小道格拉斯·C.·拉·图里佩 ,  师利仁 ,  詹姆斯·维奇孔蒂

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种有成本效益、简单的制造应变绝缘体上半导体(SSOI)结构的方法，该方法无需外延生长和后续的晶片结合工艺步骤。依据本发明，应变记忆技术被用于在SOI衬底上形成应变半导体区域。由于Si区是应变的，在应变半导体区域上形成的晶体管具有更高的载流子迁移率。本发明方法包括：(i)进行离子注入以形成薄的非晶化层，(ii)在该非晶化层上沉积高应力膜，(iii)进行热退火以使非晶化层再结晶，(iv)去除应力膜。由于SOI衬底在再结晶过程中处于应力作用下，所以最终的半导体层也处于应力作用下。应力的大小及其极性(拉伸或压缩)可由应力膜的类型和厚度控制。

公开(公告)号：CN101010781A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029385.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  迈克尔·A.·库伯 ,  菲利普·A.·桑德斯 ,  师利仁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/331 ,  H01L27/01 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1054

Abstract: 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约25原子百分比的高Ge含量的SiGe层的基本无缺陷SGOI衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在SiGe层与低温氧化物层之间形成包含Si、Ge和O元素的键合界面即界面SiGeO层的初始预键合步骤。本发明还提供SGOI衬底以及包括该SGOI衬底的结构。

公开(公告)号：CN104054171B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201280053476.0

申请日：2012-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 ,  J·S·杜恩 ,  D·W·马丁 ,  C·F·马桑特 ,  B-A·雷尼 ,  师利仁 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  曾康怡

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。

公开(公告)号：CN100461446C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200510079456.2

申请日：2005-06-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  赵泽安 ,  科恩·里姆 ,  师利仁

IPC: H01L29/02 ,  H01L27/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供了一种用作形成高性能金属氧化物半导体场效应晶体管器件的模板的半导体结构，提供了一种包括绝缘体上SiGe衬底，该衬底包含位于绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层；和在所述拉伸应变SiGe合金层顶上的应变Si层。还提供了一种形成所述拉伸应变SGOI衬底已经上述异质结构的相应方法。该方法通过提供直接在绝缘层顶上的拉伸应变SiGe合金层，消除了对应变Si层和下面层中Ge含量的偏好。

公开(公告)号：CN100378917C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200510065300.9

申请日：2005-04-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈国仕 ,  布鲁斯·B.·多丽丝 ,  凯思琳·W.·瓜里尼 ,  杨美基 ,  舍里施·纳拉丝穆哈 ,  亚历山大·拉兹尼赛克 ,  克恩·拉姆 ,  德温得拉·K.·萨达纳 ,  师利仁 ,  杰弗里·W.·斯莱特 ,  杨敏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L27/092 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/76275 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/045 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供了制作应变含硅混合衬底的方法以及用此方法制作的应变含硅混合衬底。在本发明的方法中，应变硅层被形成来覆盖再生长的半导体材料、第二半导体层、或二者。根据本发明，应变硅层的晶向与再生长的半导体层或第二半导体层的晶向相同。此方法提供了一种混合衬底，其中至少一个器件层包括应变硅。

公开(公告)号：CN104054171A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280053476.0

申请日：2012-08-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·C·库尼 ,  J·S·杜恩 ,  D·W·马丁 ,  C·F·马桑特 ,  B-A·雷尼 ,  师利仁 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  曾康怡

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/4825 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76819 ,  H01L22/32 ,  H01L22/34 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L29/1054 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/73251 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/804 ,  H01L2224/80487 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/08 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。

公开(公告)号：CN101256949B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810002269.8

申请日：2008-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  安娜·W.·托普尔 ,  阿尔伯特·M.·杨 ,  小道格拉斯·C.·拉·图里佩 ,  师利仁 ,  詹姆斯·维奇孔蒂

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种有成本效益、简单的制造应变绝缘体上半导体(SSOI)结构的方法，该方法无需外延生长和后续的晶片结合工艺步骤。依据本发明，应变记忆技术被用于在SOI衬底上形成应变半导体区域。由于Si区是应变的，在应变半导体区域上形成的晶体管具有更高的载流子迁移率。本发明方法包括：(i)进行离子注入以形成薄的非晶化层，(ii)在该非晶化层上沉积高应力膜，(iii)进行热退火以使非晶化层再结晶，(iv)去除应力膜。由于SOI衬底在再结晶过程中处于应力作用下，所以最终的半导体层也处于应力作用下。应力的大小及其极性(拉伸或压缩)可由应力膜的类型和厚度控制。

公开(公告)号：CN100456424C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200580029385.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  迈克尔·A.·库伯 ,  菲利普·A.·桑德斯 ,  师利仁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/331 ,  H01L27/01 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1054

Abstract: 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约25原子百分比的高Ge含量的SiGe层的基本无缺陷SGOI衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在SiGe层与低温氧化物层之间形成包含Si、Ge和O元素的键合界面即界面SiGeO层的初始预键合步骤。本发明还提供SGOI衬底以及包括该SGOI衬底的结构。