公开(公告)号：CN101256949A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810002269.8

申请日：2008-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  安娜·W.·托普尔 ,  阿尔伯特·M.·杨 ,  小道格拉斯·C.·拉·图里佩 ,  师利仁 ,  詹姆斯·维奇孔蒂

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种有成本效益、简单的制造应变绝缘体上半导体(SSOI)结构的方法，该方法无需外延生长和后续的晶片结合工艺步骤。依据本发明，应变记忆技术被用于在SOI衬底上形成应变半导体区域。由于Si区是应变的，在应变半导体区域上形成的晶体管具有更高的载流子迁移率。本发明方法包括：(i)进行离子注入以形成薄的非晶化层，(ii)在该非晶化层上沉积高应力膜，(iii)进行热退火以使非晶化层再结晶，(iv)去除应力膜。由于SOI衬底在再结晶过程中处于应力作用下，所以最终的半导体层也处于应力作用下。应力的大小及其极性(拉伸或压缩)可由应力膜的类型和厚度控制。

公开(公告)号：CN101256949B

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN200810002269.8

申请日：2008-01-08

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨美基 ,  安娜·W.·托普尔 ,  阿尔伯特·M.·杨 ,  小道格拉斯·C.·拉·图里佩 ,  师利仁 ,  詹姆斯·维奇孔蒂

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02658 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7843

Abstract: 本发明提供一种有成本效益、简单的制造应变绝缘体上半导体(SSOI)结构的方法，该方法无需外延生长和后续的晶片结合工艺步骤。依据本发明，应变记忆技术被用于在SOI衬底上形成应变半导体区域。由于Si区是应变的，在应变半导体区域上形成的晶体管具有更高的载流子迁移率。本发明方法包括：(i)进行离子注入以形成薄的非晶化层，(ii)在该非晶化层上沉积高应力膜，(iii)进行热退火以使非晶化层再结晶，(iv)去除应力膜。由于SOI衬底在再结晶过程中处于应力作用下，所以最终的半导体层也处于应力作用下。应力的大小及其极性(拉伸或压缩)可由应力膜的类型和厚度控制。