-
公开(公告)号：CN102598263A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080050627.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 半导体基板（10）中的电容器（180）采用导电贯穿基板通路（TSV）（80）作为内部电极，并采用柱状掺杂半导体区域作为外部电极。电容器（80）在小的区域内提供大的去耦电容，并且不影响电路密度或Si 3D结构设计。附加的导电TSV可设置在半导体基板（10）中以提供对电源的电连接以及通过其的信号传输。与具有可比的电容的传统电容器阵列相比，电容器（180）具有更低的电感系数，从而能够减小堆叠的半导体芯片的电源系统中的高频噪声。
-
公开(公告)号：CN101371332B
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200780002315.8
申请日：2007-01-15
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/44 , H01L21/77 , H01L21/302 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种背面接触结构及其制造方法。所述方法包括：在衬底(100)中形成介质隔离(250)，所述衬底(100)具有正面和相反的背面；在所述衬底(100)的所述正面上形成第一介质层(105)；在所述第一介质层(105)中形成沟槽(265C)，所述沟槽(265C)对准所述介质隔离(250)并延伸到所述介质隔离(250)；延伸形成在所述第一介质层(105)中的所述沟槽(265C)穿过所述介质隔离(250)并进入所述衬底(100)到小于所述衬底(100)的厚度的深度(D1)；填充所述沟槽(265C)并共平坦化所述沟槽(265C)的顶表面与所述第一介质层(105)的顶表面以形成导电通孔(270C)；以及从所述衬底(100)的背面减薄所述衬底(100)，以暴露所述通孔(270C)。
-
公开(公告)号：CN101764047A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910222008.1
申请日：2009-11-13
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/302 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16 , H01L2224/27436 , H01L2224/83191 , H01L2924/00014 , H01L2924/01057 , H01L2924/09701 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
Abstract: 在半导体衬底的正面形成C4研磨带和激光烧蚀粘合层。载体衬底随后连附到激光烧蚀粘合层。通过抛光或者研磨减薄半导体衬底的背面，在所述减薄期间，所述载体衬底提供机械支撑，用于允许将半导体衬底减薄至约25μm的厚度。膜框架带连附到减薄的半导体衬底的背面，并且通过激光烧蚀该激光烧蚀粘合层，由此将载体衬底从C4研磨带的背面分离。切割膜框架带、减薄的半导体衬底和C4研磨带的组件。利用紫外光辐照C4研磨带以变为无粘合性，并且随后将其去除。
-
公开(公告)号：CN104054171B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201280053476.0
申请日：2012-08-03
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/4825 , H01L21/6835 , H01L21/76819 , H01L22/32 , H01L22/34 , H01L23/5223 , H01L23/5283 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L29/1054 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2224/0361 , H01L2224/0401 , H01L2224/05166 , H01L2224/05187 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05687 , H01L2224/06181 , H01L2224/08225 , H01L2224/131 , H01L2224/73251 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/804 , H01L2224/80487 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/81203 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/15788 , H01L2924/014 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/05432 , H01L2924/053 , H01L2924/01031 , H01L2924/01033 , H01L2924/04941 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 公开了用于接合基板表面的方法、接合基板组件和用于接合基板组件的设计结构。通过使用器件基板(10)的第一表面(15)形成产品芯片(25)的器件结构(18、19、20、21)。在产品芯片上形成用于器件结构的互连结构的布线层(26)。布线层被平整化。临时操作晶片(52)被可去除地接合到平整化后的布线层。响应可去除地将临时操作晶片接合到平整化后的第一布线层，器件基板的与第一表面相对的第二表面(54)被接合到最终操作基板(56)。然后从组件去除临时操作晶片。
-
公开(公告)号：CN102598263B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201080050627.8
申请日：2010-11-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L24/16 , H01L25/0657 , H01L2224/13025 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 半导体基板（10）中的电容器（180）采用导电贯穿基板通路（TSV）（80）作为内部电极，并采用柱状掺杂半导体区域作为外部电极。电容器（80）在小的区域内提供大的去耦电容，并且不影响电路密度或Si 3D结构设计。附加的导电TSV可设置在半导体基板（10）中以提供对电源的电连接以及通过其的信号传输。与具有可比的电容的传统电容器阵列相比，电容器（180）具有更低的电感系数，从而能够减小堆叠的半导体芯片的电源系统中的高频噪声。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102782834A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180005787.5
申请日：2011-01-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76898 , G03F9/7076 , G03F9/708 , H01L23/544 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。
-
公开(公告)号：CN103426859A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310181819.8
申请日：2013-05-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/5227 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/30107 , Y10T29/49071 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及分布式有源变压器、其上具有变压器的微电子元件以及制造分布式有源变压器的方法。提供包括一次绕组和二次绕组的分布式有源变压器。所述一次绕组包括在元件的第一表面与第二表面之间沿一方向延伸的第一组导电过孔、沿所述第一表面延伸的第一组第一导线以及沿所述第二表面延伸的第一组第二导线。所述二次绕组包括在所述第一表面与所述第二表面之间沿一方向延伸的第二组导电过孔、沿所述第一表面延伸的第二组第一导线以及沿所述第二表面延伸的第二组第二导线。当被供能时，所述一次绕组产生沿平行于所述第一表面和所述第二平面的方向延伸的磁通。所述二次绕组接收所述一次绕组产生的所述磁通传递的能量。
-
公开(公告)号：CN101276801B
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN200810083087.8
申请日：2008-03-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/482 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/481 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/00
Abstract: 一种贯穿晶片的通孔结构及其形成方法。该贯穿晶片的通孔结构包括具有开口和晶片顶面的晶片。该晶片顶面限定与所述晶片顶面垂直的第一参考方向。所述贯穿晶片的通孔结构还包括处于开口中的贯穿晶片的通孔。所述贯穿晶片的通孔具有矩形板的形状。所述贯穿晶片的通孔在所述第一参考方向上的高度基本上等于所述晶片在所述第一参考方向上的厚度。所述贯穿晶片的通孔在第二参考方向上的长度是所述贯穿晶片的通孔在第三参考方向上的宽度的至少十倍。所述第一参考方向、所述第二参考方向和所述第三参考方向相互垂直。
-
公开(公告)号：CN100530634C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10-18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
-
公开(公告)号：CN1983591A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10－18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.019 seconds)
