公开(公告)号：CN102782834A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180005787.5

申请日：2011-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·T·赫林 ,  P·J·林德格伦 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  A·K·斯塔珀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。