公开(公告)号：CN101366116B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200780002151.9

申请日：2007-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·库尔鲍 ,  K·E·唐斯 ,  P·J·林德格伦 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法和半导体器件。在所述方法中，在叠层结构中蚀刻至少一个部分过孔(26)，并在所述至少一个部分过孔(26)周围形成边界(32)。所述方法还包括：当继续过孔蚀刻到至少一个蚀刻停止层(22)时，使用选择性蚀刻实施厚布线。

公开(公告)号：CN102782834A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201180005787.5

申请日：2011-01-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： R·T·赫林 ,  P·J·林德格伦 ,  E·J·斯普罗吉斯 ,  A·K·斯塔珀

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  G03F9/7076 ,  G03F9/708 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造集成电路结构的方法，在衬底（100；图1）内形成第一开口，并且用保护衬里加衬所述第一开口（102）。该方法将材料沉积到所述第一开口中（104），并且在所述衬底之上形成保护材料。所述保护材料包括工艺控制标记，并包括位于所述第一开口之上并且与所述第一开口对准的第二开口（108）。所述方法通过所述保护材料内的所述第二开口，从所述第一开口去除所述材料（110）。所述工艺控制标记包括在所述保护材料内的凹陷，所述凹陷仅部分延伸通过所述保护材料，以便所述衬底在所述工艺控制标记之下的部分不受去除所述材料的工艺影响。

公开(公告)号：CN102210019B

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN200980144969.3

申请日：2009-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·库尔鲍 ,  J·B·约翰逊 ,  P·J·林德格伦 ,  刘学锋 ,  J·S·纳科斯 ,  B·A·奥尔纳 ,  R·M·拉塞尔 ,  D·C·谢里丹

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。

公开(公告)号：CN101366116A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200780002151.9

申请日：2007-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·库尔鲍 ,  K·E·唐斯 ,  P·J·林德格伦 ,  A·K·斯坦珀

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/76832 ,  H01L23/5223 ,  H01L28/60 ,  H01L2221/1036 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种方法和半导体器件。在所述方法中，在叠层结构中蚀刻至少一个部分过孔(26)，并在所述至少一个部分过孔(26)周围形成边界(32)。所述方法还包括：当继续过孔蚀刻到至少一个蚀刻停止层(22)时，使用选择性蚀刻实施厚布线。

公开(公告)号：CN102210019A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200980144969.3

申请日：2009-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·D·库尔鲍 ,  J·B·约翰逊 ,  P·J·林德格伦 ,  刘学锋 ,  J·S·纳科斯 ,  B·A·奥尔纳 ,  R·M·拉塞尔 ,  D·C·谢里丹

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/743 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8249 ,  H01L27/0623 ,  H01L29/41 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种沟槽接触硅化物(78)被形成在接触沟槽的内壁上，所述接触沟槽到达半导体衬底(8)中的掩埋的导电层(30)以降低透穿件结构的寄生电阻。所述沟槽接触硅化物(78)被形成在所述沟槽的底部处、侧壁上以及所述半导体衬底(8)的顶表面的一部分上。所述沟槽随后以中段制程(MOL)电介质加以填充。接触过孔(98)被形成在所述沟槽接触硅化物(78)上。所述沟槽接触硅化物(78)可经由与金属层的单一硅化反应或经由与多个金属层的多个硅化反应而形成。