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公开(公告)号：CN100536124C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200510079823.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可以在BEOL中制造的互连结构，该互连结构与上述常规的互连结构相比，在正常芯片操作中表现良好的机械接触，并在各种可靠性测试中不发生故障。本发明的互连结构在位于层间介质层中的过孔底部具有弯折界面。具体地，本发明的互连结构包括：第一介质层，其中嵌有至少一个金属互连；第二介质层，位于所述第一介质层上，其中所述第二介质层具有至少一个开口，所述开口具有上线路区域和下过孔区域，所述下过孔区域包括弯折界面；至少一对衬里，位于所述至少一个开口的至少垂直壁上；以及导电材料，填充所述至少一个开口。
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公开(公告)号：CN101410969B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200780011319.2
申请日：2007-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , Y10S438/957 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。
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公开(公告)号：CN101410969A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011319.2
申请日：2007-05-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8242 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/84 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , Y10S438/957 , H01L2924/00
Abstract: 提供了用于制造具有高Q片上电容器的半导体IC(集成电路)芯片的方法，在所述芯片背面上形成所述高Q片上电容器并使用穿晶片互连将所述高Q片上电容器连接到在所述芯片正面上的集成电路。在一方面，半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底具有正面、背面、和在所述衬底的所述正面与背面之间插入的掩埋绝缘层。在所述半导体衬底的所述正面上形成集成电路，在所述半导体衬底的所述背面上形成集成电容器，以及形成穿过所述掩埋绝缘层的互连结构以将所述集成电容器连接到所述集成电路。
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公开(公告)号：CN101047230B
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN200710089144.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种PCM单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。
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公开(公告)号：CN101000890A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200710001597.1
申请日：2007-01-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L28/87 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在提供具有电容器电极的集成电路梳形电容器，该电容器电极与在相同的金属布线级中并且以相同的间距形成的其它互连和过孔接触相比，在相邻电容器电极之间具有增加的电容。本发明通过使用至多一个附加非必需的光掩膜获得了电容器，其将电容公差最小化并保持寄生电极－衬底电容耦合的对称，而没有对在相同布线级中形成的其它互连和过孔接触产生不利影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100479132C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710001597.1
申请日：2007-01-09
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L21/76814 , H01L21/76816 , H01L21/76831 , H01L28/87 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明旨在具有电容器电极的集成电路梳形电容器，该电容器电极与在相同的金属布线级中并且以相同的间距形成的其它互连和过孔接触相比，在相邻电容器电极之间具有增加的电容。本发明通过使用至多一个附加非必需的光掩膜获得了电容器，其将电容公差最小化并保持寄生电极-衬底电容耦合的对称，而没有对在相同布线级中形成的其它互连和过孔接触产生不利影响。
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公开(公告)号：CN101047230A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089144.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种PCM单元结构，其包括第一电极、相变元件和第二电极，其中该相变元件被插入第一电极与第二电极之间，并且只有第一电极和第二电极之一的周界边沿与相变元件接触，从而减少相变元件与电极之一的接触面积，从而增加了经过相变元件的电流密度并且有效地以第一编程功率引起相变。
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公开(公告)号：CN100530634C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10-18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
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公开(公告)号：CN1983591A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610146585.3
申请日：2006-11-15
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L23/544 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2223/54453 , H01L2225/06513 , H01L2225/06531 , H01L2225/06593 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于对准晶片的结构和用于操作此结构的方法。所述结构包括(a)第一半导体晶片，包括第一电容耦合结构；以及(b)第二半导体晶片，包括第二电容耦合结构。所述第一和第二半导体晶片通过公共表面相互直接物理接触。如果在所述第一和第二半导体晶片通过所述公共表面相互直接物理接触时，所述第一和第二半导体晶片在第一方向上相对于彼此移动1nm的第一位移距离，那么包括所述第一和第二电容耦合结构的第一电容器的电容量会发生至少10－18F的变化。所述第一方向基本上与所述公共表面平行。
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公开(公告)号：CN1761056A
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN200510079823.9
申请日：2005-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , H05K3/46
CPC classification number: H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/76843 , H01L21/76844 , H01L21/76847 , H01L21/76865 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种可以在BEOL中制造的互连结构，该互连结构与上述常规的互连结构相比，在正常芯片操作中表现良好的机械接触，并在各种可靠性测试中不发生故障。本发明的互连结构在位于层间介质层中的过孔底部具有弯折界面。具体地，本发明的互连结构包括：第一介质层，其中嵌有至少一个金属互连；第二介质层，位于所述第一介质层上，其中所述第二介质层具有至少一个开口，所述开口具有上线路区域和下过孔区域，所述下过孔区域包括弯折界面；至少一对衬里，位于所述至少一个开口的至少垂直壁上；以及导电材料，填充所述至少一个开口。
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