公开(公告)号：CN100495698C

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200710135957.7

申请日：2007-03-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 杨智超 ,  K·K·H·黄 ,  N·R·克林科 ,  C·C·帕克斯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/321

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76873 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种单或双镶嵌型的互连结构及其形成方法，其基本上减小了在贵金属籽晶层上镀敷导电材料的表面氧化问题。根据本发明，使用氢等离子体来处理贵金属籽晶层，以使处理过的贵金属籽晶层具有高抗表面氧化性。本发明的抗氧化贵金属籽晶层具有低的C含量和/或低的氮含量。

公开(公告)号：CN103843120A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048709.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  袁骏 ,  K·K·H·黄 ,  汉述仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分。还公开了一种制造所述晶体管结构的方法。可将所述晶体管结构表征为具有不对称栅极的垂直场效应晶体管。

公开(公告)号：CN102822976B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180016073.4

申请日：2011-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  W·E·亨施 ,  X·王 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L29/665 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/78 ,  H01L29/66545

Abstract: 一种形成场效应晶体管的方法，所述方法包含：形成栅极叠层、邻近所述栅极叠层的相对侧面的间隔物、在所述间隔物的相对侧面上的硅化物源极区域和硅化物漏极区域，在所述源极区域和所述漏极区域上外延生长硅；在所述栅极叠层和所述间隔物上形成衬里层，去除所述衬里层的一部分以暴露所述硬掩模层的一部分，去除所述硬掩模层的暴露部分以暴露所述栅极叠层的硅层，去除暴露的硅以暴露所述栅极叠层的金属层的一部分、所述源极区域以及所述漏极区域；以及在所述栅极叠层的所述金属层上、所述硅化物源极区域和所述硅化物漏极区域上沉积导电材料。

公开(公告)号：CN103563080B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201280024107.9

申请日：2012-05-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  汉述仁 ,  K·K·H·黄 ,  袁骏

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L29/66515 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78684 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0525 ,  H01L51/0545

Abstract: 一种器件及器件制造方法包括在电介质衬底中形成（202）掩埋栅电极以及对在所述掩埋栅电极之上的包括高介电常数层、基于碳的半导电层和保护层的叠层进行构图（212）。对形成在所述叠层之上的隔离电介质层进行开口（216）以在与所述叠层相邻的区域中界定凹部。蚀刻所述凹部（218）以形成腔并且去除所述高介电常数层的一部分以在所述掩埋栅电极的相反侧暴露所述基于碳的半导电层。在所述腔中沉积导电材料（224）以形成自对准的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN103098200A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043465.X

申请日：2011-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·H·黄 ,  郭德超

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 通过去除衬底的掺杂区之上的多晶硅栅极并在所述衬底之上形成掩模层，以便通过所述掩模层内的孔暴露所述掺杂区，来制造晶体管。在所述掩模层的顶表面和侧表面上以及在所述掺杂区的顶表面上沉积界面层。在所述界面层上沉积这样的层，该层适于降低所述晶体管的阈值电压和/或减小所述晶体管的反型层的厚度。所述层包括扩散到所述界面层中的诸如铝或镧的金属，且还包括诸如氧化铪的氧化物。在所述掩模层的所述孔内形成导电插塞，例如金属插塞。所述界面层、所述界面层上的所述层以及所述导电插塞作为所述晶体管的替换栅极。

公开(公告)号：CN101814502B

公开(公告)日：2012-06-20

申请号：CN201010004777.7

申请日：2010-01-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 权彦五 ,  S·A·克里施南 ,  安藤孝 ,  M·P·胡齐克 ,  M·M·弗兰克 ,  W·K·汉森 ,  R·杰哈 ,  梁越 ,  V·纳拉亚南 ,  R·拉马钱德兰 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

Abstract: 本发明涉及一种具有双金属栅极的半导体器件以及制造方法。一种半导体器件包括：半导体衬底；形成在所述衬底上的PFET，所述PFET包括设置在所述衬底上的SiGe层、设置在所述SiGe层上的高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的第一金属层、设置在所述第一金属层上的第一中间层、设置在所述第一中间层上的第二金属层、设置在所述第二金属层上的第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的第三金属层；形成在所述衬底上的NFET，所述NFET包括设置在所述衬底上的所述高k电介质层、设置在所述高k电介质层上的所述第二中间层、以及设置在所述第二中间层上的所述第三金属层。可选地，省去所述第一金属层。一种制造该器件的方法包括提供SiO2和α-Si层或dBARC层。

公开(公告)号：CN100517621C

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200580046544.0

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： L·A·克莱文格 ,  T·J·达尔顿 ,  L·C·苏 ,  C·J·拉登斯 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  K·K·H·黄 ,  杨智超

IPC: H01L21/4763

CPC classification number: H01L21/76852 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。

公开(公告)号：CN100481384C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200610163558.7

申请日：2006-11-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·L·拉思 ,  杨智超 ,  S·波诺斯 ,  K·K·H·黄

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76865 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76873 ,  H01L2221/1089

Abstract: 通过以下步骤制造导体-电介质互连结构：提供包括其中具有已构图部件的介电层的结构；在所述已构图部件中所述介电层上沉积镀敷籽晶层；在过孔中所述镀敷籽晶层上沉积牺牲籽晶层；通过反向镀敷减小所述牺牲籽晶层的厚度；以及在所述已构图部件中所述牺牲籽晶层上镀敷导电金属。并且提供其中具有过孔的介电层；在已构图部件中所述介电层上镀敷籽晶层；以及位于所述已构图部件中的不连续牺牲籽晶层。

公开(公告)号：CN103843120B

公开(公告)日：2016-12-14

申请号：CN201280048709.8

申请日：2012-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 郭德超 ,  袁骏 ,  K·K·H·黄 ,  汉述仁

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种晶体管结构被形成为包含衬底以及位于所述衬底上方的源极、漏极和沟道，所述沟道被垂直地设置在所述源极与所述漏极之间。所述沟道被耦接至栅极导体，所述栅极导体经由栅极电介质材料层围绕所述沟道，所述栅极电介质材料层围绕所述沟道。所述栅极导体由具有第一功函数的第一导电材料和具有第二功函数的第二导电材料构成，所述第一导电材料围绕所述沟道的长度的第一部分，所述第二导电材料围绕所述沟道的长度的第二部分。还公开了一种制造所述晶体管结构的方法。可将所述晶体管结构表征为具有不对称栅极的垂直场效应晶体管。

公开(公告)号：CN103098200B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201180043465.X

申请日：2011-08-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·K·H·黄 ,  郭德超

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28079 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

Abstract: 通过去除衬底的掺杂区之上的多晶硅栅极并在所述衬底之上形成掩模层，以便通过所述掩模层内的孔暴露所述掺杂区，来制造晶体管。在所述掩模层的顶表面和侧表面上以及在所述掺杂区的顶表面上沉积界面层。在所述界面层上沉积这样的层，该层适于降低所述晶体管的阈值电压和/或减小所述晶体管的反型层的厚度。所述层包括扩散到所述界面层中的诸如铝或镧的金属，且还包括诸如氧化铪的氧化物。在所述掩模层的所述孔内形成导电插塞，例如金属插塞。所述界面层、所述界面层上的所述层以及所述导电插塞作为所述晶体管的替换栅极。