公开(公告)号：CN101010781A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200580029385.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  迈克尔·A.·库伯 ,  菲利普·A.·桑德斯 ,  师利仁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/331 ,  H01L27/01 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1054

Abstract: 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约25原子百分比的高Ge含量的SiGe层的基本无缺陷SGOI衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在SiGe层与低温氧化物层之间形成包含Si、Ge和O元素的键合界面即界面SiGeO层的初始预键合步骤。本发明还提供SGOI衬底以及包括该SGOI衬底的结构。

公开(公告)号：CN100456424C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200580029385.3

申请日：2005-03-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 赵泽安 ,  迈克尔·A.·库伯 ,  菲利普·A.·桑德斯 ,  师利仁

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/30 ,  H01L21/331 ,  H01L27/01 ,  H01L27/108 ,  H01L29/04 ,  H01L31/117

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L29/1054

Abstract: 一种使用低温晶片键合技术获得包含具有大于大约25原子百分比的高Ge含量的SiGe层的基本无缺陷SGOI衬底的方法。在本申请中描述的晶片键合工艺包括能够在SiGe层与低温氧化物层之间形成包含Si、Ge和O元素的键合界面即界面SiGeO层的初始预键合步骤。本发明还提供SGOI衬底以及包括该SGOI衬底的结构。