公开(公告)号：CN1489786A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01816500.1

申请日：2001-09-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·卡纳佩里 ,  J·O·舒 ,  C·德米科 ,  黄丽娟 ,  J·A·奥特 ,  H-S·P·翁

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1－xGex层(20)和外延Si1－yGey层，在所述Si1－yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。

公开(公告)号：CN100472748C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN01817655.0

申请日：2001-09-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杰克·O.·楚 ,  戴维·迪米利亚 ,  黄丽娟

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/2007

摘要： 描述了一种在无应力绝缘层上SiGe(SGOI)上形成应变Si或SiGe，或者形成Si异质结构上SiGe的方法，该方法包括在半导体基底上引入外延生长的Si1-yGey层，通过化学抛光使表面平滑，通过热处理使两个基底键合在一起，通过将SiGe本身用作阻蚀层的高选择性蚀刻将SiGe层从一个基底移植到另一个基底。移植的SiGe层可以使其上表面经过CMP的平滑化处理，以便外延沉积无应力Si1-yGey，和取决于成份：应变Si、应变SiC、应变Ge、应变GeC、和应变Si1-yGeyC或高浓度掺杂层的应变Si1-yGey，从而得到的应变SiGe/Si异质结二极管的电性接触。

公开(公告)号：CN1215550C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN01816500.1

申请日：2001-09-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·卡纳佩里 ,  J·O·舒 ,  C·德米科 ,  黄丽娟 ,  J·A·奥特 ,  H-S·P·翁

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1-xGex层(20)和外延Si1-yGey层，在所述Si1-yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。

公开(公告)号：CN1373499A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN01141207.0

申请日：2001-09-28

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 唐纳德·F·卡纳贝利 ,  盖伊·M.·科恩 ,  黄丽娟 ,  约翰·A.·奥托 ,  迈克尔·F.·罗法罗 ,  赵泽安

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/302 ,  B24B1/00 ,  B24B7/22

CPC分类号： H01L21/02074 ,  B24B37/345 ,  B24B49/006 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02065 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/76251

摘要： 描述一种包括一个半导体衬底、一个CMP工具、一个刷洗清洁工具与一个化学晶片清洁工具的方法与装置。CMP工具在1psi的向下力、0.5psi的背侧空气压力、50rpm的台板转速、30rpm的载体转速与140毫升/分的抛光浆料流速下进行工作。

公开(公告)号：CN1531751A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN01817655.0

申请日：2001-09-17

申请人： 国际商业机器公司

发明人： 杰克·O·楚 ,  戴维·迪米利亚 ,  黄丽娟

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76256 ,  H01L21/2007

摘要： 描述了一种在无应力绝缘层上SiGe (SGOI)上形成应变Si或SiGe，或者形成Si异质结构上SiGe的方法，该方法包括在半导体基底上引入外延生长的Si1－yGey层，通过化学抛光使表面平滑，通过热处理使两个基底键合在一起，通过将SiGe本身用作阻蚀层的高选择性蚀刻将SiGe层从一个基底移植到另一个基底。移植的SiGe层可以使其上表面经过CMP的平滑化处理，以便外延沉积无应力Si1－yGey，和取决于成分：应变Si、应变SiC、应变Ge、应变GeC和应变Si1－yGeyC或高浓度掺杂层的应变Si1－yGey，从而得到的应变SiGe/Si异质结二极管的电性接触。