公开(公告)号：CN1215550C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN01816500.1

申请日：2001-09-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·卡纳佩里 ,  J·O·舒 ,  C·德米科 ,  黄丽娟 ,  J·A·奥特 ,  H-S·P·翁

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1-xGex层(20)和外延Si1-yGey层，在所述Si1-yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。

公开(公告)号：CN1489786A

公开(公告)日：2004-04-14

申请号：CN01816500.1

申请日：2001-09-27

申请人： 国际商业机器公司

发明人： D·卡纳佩里 ,  J·O·舒 ,  C·德米科 ,  黄丽娟 ,  J·A·奥特 ,  H-S·P·翁

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/76254

摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1－xGex层(20)和外延Si1－yGey层，在所述Si1－yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。