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公开(公告)号：CN104733286B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410699689.1
申请日：2014-11-27
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/7813
摘要： 本发明涉及包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。本发明提供包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。形成嵌入在Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面。与提供所述Ⅲ族氮化物材料层并且嵌入所述剥落释放平面的所述Ⅲ族氮化物材料部相比，剥落释放平面包括具有不同的应变、不同的结构和不同的组成的材料。剥落释放平面在Ⅲ族氮化物材料层之内提供削弱的材料平面区域，其在随后进行的剥落工艺期间可被用于将Ⅲ族氮化物材料的一部分从初始Ⅲ族氮化物材料层释放。特别地，在剥落工艺期间，在嵌入在初始Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面内发生裂缝萌生和传播。
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公开(公告)号：CN103579097A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310300339.9
申请日：2013-07-17
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/52 , H01L21/7682 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53276 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及形成互连结构的方法及互连结构。在存在于衬底表面上的含铜结构的暴露的侧壁表面和最上表面上形成连续的石墨烯层。在含铜结构上所述连续的石墨烯层的存在减少了铜氧化和铜离子的表面扩散，因此提高了所述结构的抗电迁移性。使用石墨烯可以获得这些优点而不增加含铜结构的电阻。
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公开(公告)号：CN1215550C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01816500.1
申请日：2001-09-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1-xGex层(20)和外延Si1-yGey层，在所述Si1-yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。
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公开(公告)号：CN104733286A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410699689.1
申请日：2014-11-27
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/304 , H01L21/76254 , H01L21/7813 , H01L33/0062
摘要： 本发明涉及包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。本发明提供包括嵌入的剥落释放平面的Ⅲ族氮化物的受控剥落。形成嵌入在Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面。与提供所述Ⅲ族氮化物材料层并且嵌入所述剥落释放平面的所述Ⅲ族氮化物材料部相比，剥落释放平面包括具有不同的应变、不同的结构和不同的组成的材料。剥落释放平面在Ⅲ族氮化物材料层之内提供削弱的材料平面区域，其在随后进行的剥落工艺期间可被用于将Ⅲ族氮化物材料的一部分从初始Ⅲ族氮化物材料层释放。特别地，在剥落工艺期间，在嵌入在初始Ⅲ族氮化物材料层内的剥落释放平面内发生裂缝萌生和传播。
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公开(公告)号：CN103723672A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310477529.8
申请日：2013-10-14
申请人： 国际商业机器公司
摘要： 本发明涉及一种包含纳米吸移管的器件及其制造方法。将具有封闭尖端的空心高纵横比样品（例如纳米试管）固定在粒子束设备（例如透射电子显微镜）中。使所述尖端与所述粒子束设备的粒子束接触，直到在所述尖端上形成开孔，从而将所述高纵横比样品转变成纳米吸移管。备选地，将具有不满足期望参数值的孔的纳米吸移管固定在粒子束设备中。使所述纳米吸移管与所述粒子束接触以便获得所述孔参数的所述期望值。
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公开(公告)号：CN101145573A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710147732.3
申请日：2007-08-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L29/772 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , H01L29/0673 , H01L29/458 , H01L29/7839 , H01L29/785 , H01L29/78618 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，具体而言，公开了一种具有纳米线形成的FET沟道和通过从纳米线体径向外延形成的掺杂的源极和漏极区域的FET结构。讨论了顶选通和底选通的纳米线FET结构。所述源极和漏极制造可以使用选择性或者非选择性外延。
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公开(公告)号：CN1489786A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN01816500.1
申请日：2001-09-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1－xGex层(20)和外延Si1－yGey层，在所述Si1－yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。
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公开(公告)号：CN103972331A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410040488.0
申请日：2014-01-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/075 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/03921 , H01L31/03762 , H01L31/03767 , H01L31/07 , H01L31/075 , H01L31/1884 , H01L31/202 , H01L31/204 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： 本发明涉及用于高性能和低光劣化的太阳能电池的缓冲层及其形成方法。一种用于形成光伏器件的方法包括在透明电极和p-型层之间形成缓冲层。缓冲层包括掺杂的无锗的硅基材料。缓冲层具有落入在透明电极和p-型层的势垒能量内的功函数。在p-型层上形成本征层和n-型层。还提供了器件。
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公开(公告)号：CN102272926A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153493.X
申请日：2009-12-08
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L27/00
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 一种用于集成电路器件的半导体晶片结构，包括：体衬底；下部绝缘层，形成在体衬底上；导电层，形成在下部绝缘层上；上部绝缘层，形成在导电层上，上部绝缘层从成对的分离的绝缘层形成，在这成对的分离的绝缘层之间具有键合界面；以及半导体层，形成在上部绝缘层上。
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公开(公告)号：CN1818154A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610000445.5
申请日：2006-01-05
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： C30B33/02
CPC分类号： H01L21/187 , H01L21/76251
摘要： 本发明提供了一种用于除去和减小在硅晶片接合之后留在Si－Si界面处的超薄界面氧化物的厚度的方法。具体，本发明提供了一种用于除去亲水Si－Si晶片接合之后留下的超薄界面氧化物以形成具有与通过疏水接合获得的相当特性的接合Si－Si界面的方法。通过高温退火，例如，在1300℃－1330℃下退火1－5小时，分解掉近约2到约3nm的界面氧化物层。当在接合界面处的Si表面具有不同的表面取向时，例如，当具有(100)取向的Si表面接合到具有(110)取向的Si表面时，使用本发明的方法最佳。在本发明的更通常的方面，可以使用类似的退火工艺除去设置于两个含硅半导体材料的接合界面处的多余材料。两个含硅半导体材料在表面晶体取向、微结构(单晶、多晶或无定形)和组成上可以相同或不同。
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