公开(公告)号：CN103238219A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180055325.4

申请日：2011-11-14

申请人： 东电电子太阳能股份公司

发明人： 玛丽安·费乔鲁-莫拉留 ,  波格丹·梅雷乌

IPC分类号： H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括以下顺序的步骤：a)沉积正掺杂的硅层(3)，b1)以第一沉积速率沉积第一本征a-Si:H层(21)，b2)以第二沉积速率沉积第二本征a-Si:H层(22)，以及c)沉积负掺杂的硅层(5)，其中，所述第二沉积速率大于所述第一沉积速率。制造的薄膜太阳能电池的特征是：提高了初始效率和稳定效率，同时将总体沉积速率（即便是沉积两个不同的本征层(21、22)的总体沉积速率）保持在合理的和经济的水平。

公开(公告)号：CN1330392A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01124925.0

申请日：2001-05-31

申请人： 佳能株式会社

发明人： 近藤隆治 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L31/075 ,  H01L31/00

CPC分类号： H01L31/202 ,  C23C16/24 ,  C23C16/509 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/1824 ,  Y02E10/545 ,  Y02P70/521

摘要： 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中,将由公式Q=P

公开(公告)号：CN1144573A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN95192288.2

申请日：1995-03-09

申请人： 阿莫科/恩龙太阳公司

发明人： 李耀民 ,  默里S·贝内特 ,  杨立友

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。

公开(公告)号：CN105449050B

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610014848.9

申请日：2016-01-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 许路加 ,  蒋方丹 ,  何广东 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/18 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10

CPC分类号： H01L31/0488 ,  B32B17/10018 ,  B32B17/10788 ,  B32B2367/00 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H02S30/10 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明属于太阳能电池领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板；所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串；b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组件；c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电池组件。本发明通过在层压处理过程中对晶体硅太阳能电池组件进行通电处理，提升了晶体硅太阳能电池抗光致衰减的性能。

公开(公告)号：CN105449050A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201610014848.9

申请日：2016-01-08

申请人： 浙江晶科能源有限公司 ,  晶科能源有限公司

发明人： 许路加 ,  蒋方丹 ,  何广东 ,  金浩

IPC分类号： H01L31/18 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10

CPC分类号： H01L31/0488 ,  B32B17/10018 ,  B32B17/10788 ,  B32B2367/00 ,  H01L31/028 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1864 ,  H02S30/10 ,  H02S40/34 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  B32B37/00 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10

摘要： 本发明属于太阳能电池领域，尤其涉及一种晶体硅太阳能电池组件的制备方法。本发明提供的方法包括以下步骤：a)提供待层压太阳能电池组件，所述待层压太阳能电池组件包括依次相接触的背板、第一粘结层、晶体硅太阳能电池模块、第二粘结层和顶板；所述晶体硅太阳能电池模块为晶体硅太阳能电池片或多个晶体硅太阳能电池片连接成的电池串；b)所述待层压太阳能电池组件在通电条件下进行层压，得到层压后太阳能电池组件；c)将所述层压后太阳能电池组件进行装框，并安装接线盒，得到晶体硅太阳能电池组件。本发明通过在层压处理过程中对晶体硅太阳能电池组件进行通电处理，提升了晶体硅太阳能电池抗光致衰减的性能。

公开(公告)号：CN101752463B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN200910249867.X

申请日：2009-11-27

申请人： 周星工程股份有限公司

发明人： 李昌浩 ,  康萤同 ,  李炫灏 ,  李龙炫 ,  金善明

IPC分类号： H01L31/20

CPC分类号： H01L31/075 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 公开一种薄膜型太阳能电池的制造方法，因其在通过等离子体CVD方法沉积非晶硅的I型半导体层的过程期间的优化的成分气体含量比、优化的腔室压强或优化的衬底温度，所以能够通过减少存在于非晶硅中的悬键位或Si-H2键位的数量来降低太阳能电池的降解，所述方法包括：在衬底上形成前电极层；在前电极层上顺序地沉积P型半导体层、I型半导体层和N型半导体层；以及在N型半导体层上形成后电极层，其中，形成I型半导体层的过程包括在满足上述条件中的至少一个的情形下通过等离子体CVD方法形成非晶硅层，所述条件如，含硅气体和含氢气体的含量比在1∶7到1∶10的范围内；腔室压强保持在2.0托到2.4托的范围内；以及衬底温度保持在225℃到250℃的范围内。

公开(公告)号：CN1108500C

公开(公告)日：2003-05-14

申请号：CN97109661.9

申请日：1997-02-05

申请人： 佳能株式会社

发明人： 三村敏彦 ,  深江公俊 ,  森昌宏 ,  高田健司 ,  盐见哲

IPC分类号： F24J2/04 ,  F24F5/00 ,  H01L31/024

CPC分类号： E04D13/17 ,  F24F5/0046 ,  F24S20/67 ,  H01L31/03767 ,  H02S20/23 ,  H02S40/44 ,  Y02A30/272 ,  Y02A30/62 ,  Y02B10/12 ,  Y02B10/14 ,  Y02B10/20 ,  Y02B10/24 ,  Y02B10/70 ,  Y02E10/44 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/60

摘要： 一种太阳能转换装置，它包括一个含有非单晶半导体的光电传感器和通过一种流动的加热介质向光电传感器提供热量的装置。

公开(公告)号：CN108140691A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680055529.0

申请日：2016-08-25

申请人： 弗劳恩霍夫应用研究促进协会

发明人： J·内卡尔达 ,  安德里亚斯·布兰德 ,  S·瑞恩 ,  F·弗蒂格 ,  卡琳·克劳斯

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03767 ,  H01L31/186 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/50

摘要： 本发明涉及一种用于稳定光伏硅太阳能电池的方法，具有再生步骤，在此进行将载流子注入被加热到至少50℃的太阳能电池的半导体衬底中。本发明的特征在于，在再生步骤之前进行退化步骤，其中太阳能电池借助辐射且尤其是激光射线被施加至少5000W/m2的照射强度且太阳能电池同时被主动冷却。本发明还涉及一种用于稳定光伏硅太阳能电池的装置。

公开(公告)号：CN102362337B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080013695.7

申请日：2010-03-15

申请人： 东丽株式会社

发明人： 坂本桂太郎 ,  野村文保 ,  小森常范

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/24

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/5096 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32871 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。

公开(公告)号：CN102834933A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201080051987.X

申请日：2010-09-17

申请人： 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司

发明人： M·戴维斯 ,  J·洪 ,  G·雅库博夫斯卡-奥孔涅夫斯基 ,  S·纳瓦拉 ,  X·杨 ,  A·罗哈吉 ,  M·H·康 ,  A·U·埃邦 ,  B·C·朗萨维尔

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0264

CPC分类号： H01L31/03767 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1864 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

摘要： 本申请公开了光致衰退特性明显改善的硅太阳能电池。本申请还公开了具有包括硼、氧和碳的硅基衬底以及包括邻近衬底的至少一个含碳层的抗反射涂层（ARC）的太阳能电池。还公开了用于制备太阳能电池的方法。