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公开(公告)号：CN102362337B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201080013695.7
申请日：2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN102362337A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013695.7
申请日：2010-03-15
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/24 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32541 , H01J37/32834 , H01J37/32871 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L31/03767 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种等离子体处理装置，其中，等离子体生成电极具有多个气体排出孔，所述气体排出孔从与基板相对的面贯通上述等离子体生成电极至气体排出室，所述基板被基板保持机构保持，与气体导入管连接设置的气体供给管具有气体供给口，所述气体供给口朝向所述多个气体排出孔的内部，排出原料气体，所述气体供给管及所述气体供给口如下设置，即，使从该气体供给口排出的上述原料气体的流动方向的延长线与位于所述气体排出孔与所述气体排出室的边界面处的端面开口区域交叉。本发明还涉及一种使用该等离子体处理装置的非晶硅薄膜的制造方法。
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公开(公告)号：CN103459661A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016136.0
申请日：2012-02-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/455 , C23C16/45517 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J37/32752 , H01J37/3277 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J2237/3321 , H01J2237/3325
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置，是在真空容器内具备主辊和等离子体产生电极，在将长条基材沿着上述主辊的表面输送的同时，在上述长条基材的表面形成薄膜的真空成膜装置，其中，以包围由上述主辊和上述等离子体产生电极夹着的成膜空间的方式，隔着上述成膜空间地在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧，各设置至少一个沿上述长条基材的宽度方向延伸的侧壁，上述侧壁与上述等离子体产生电极电绝缘，在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧中的任一侧的侧壁上，具备1列以上的沿上述长条基材的宽度方向呈一列排列的多个气体供给孔所形成的气体供给孔列。
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公开(公告)号：CN105051252A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201480015410.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/509 , B05D1/62 , C23C16/45574 , C23C16/50 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32825 , H01J37/34 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明是一种等离子体CVD装置，其包括：真空容器、和在真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括：阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，基材保持机构配置于通过等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，阳极在气体供给方向上的长度及阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。根据本发明，提供一种能提高气体的分解效率、实现高成膜速度的等离子体CVD装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102598218B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201080049061.7
申请日：2010-10-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32587 , H01J37/32834 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置，所述等离子体CVD装置由真空容器构成，所述真空容器内部具有放电电极板和安装有薄膜形成用基板的接地电极板。在所述等离子体CVD装置中，具有与上述放电电极板隔开间隔地相对设置的接地盖板，上述放电电极板具有气体导入孔和将从该气体导入孔导入的气体排出的气体排出孔，所述气体导入孔的一端与薄膜形成用原料气体供给设备连接，另一端在上述放电电极板的下面开口，上述接地盖板具有与上述气体导入孔相对应的第2气体导入孔，并且具有与上述气体排出孔相对应的第2气体排出孔。在所述等离子体CVD装置中，具有与上述接地盖板隔开间隔地相对设置的电位控制板，该电位控制板具有与上述第2气体导入孔相对应的第3气体导入孔，并且具有与上述第2气体排出孔相对应的第3气体排出孔。
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公开(公告)号：CN102598218A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080049061.7
申请日：2010-10-21
Applicant: 东丽株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , C23C16/505 , H01L31/04
CPC classification number: C23C16/45591 , C23C16/24 , C23C16/4401 , C23C16/4412 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , C23C16/52 , H01J37/32091 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32568 , H01J37/32587 , H01J37/32834 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置，所述等离子体CVD装置由真空容器构成，所述真空容器内部具有放电电极板和安装有薄膜形成用基板的接地电极板。在所述等离子体CVD装置中，具有与上述放电电极板隔开间隔地相对设置的接地盖板，上述放电电极板具有气体导入孔和将从该气体导入孔导入的气体排出的气体排出孔，所述气体导入孔的一端与薄膜形成用原料气体供给设备连接，另一端在上述放电电极板的下面开口，上述接地盖板具有与上述气体导入孔相对应的第2气体导入孔，并且具有与上述气体排出孔相对应的第2气体排出孔。在所述等离子体CVD装置中，具有与上述接地盖板隔开间隔地相对设置的电位控制板，该电位控制板具有与上述第2气体导入孔相对应的第3气体导入孔，并且具有与上述第2气体排出孔相对应的第3气体排出孔。
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公开(公告)号：CN101622557A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200880006523.X
申请日：2008-01-11
Applicant: 东丽株式会社
IPC: G02B5/30 , G02F1/1335
CPC classification number: G02B5/3058 , B29D11/00644 , G02F1/133528 , G02F2001/133548
Abstract: 本发明是具有基材、隔开间隔而形成的多个线状的金属层、隔开间隔而形成的多个线状的黑色层的振片。根据本发明，能够提供可与构成液晶盒的2片偏振片之中的至少一个偏振片置换，并且能够以高亮度进行鲜明的显示的偏振片、以及使用该偏振片呈现较高的亮度提高效果的液晶显示装置。
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公开(公告)号：CN105051252B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201480015410.1
申请日：2014-03-07
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C16/509 , H01L21/31 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/509 , B05D1/62 , C23C16/45574 , C23C16/50 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32082 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32532 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32825 , H01J37/34 , H01J2237/3321
Abstract: 本发明是一种等离子体CVD装置，其包括：真空容器、和在真空容器内的等离子体CVD电极单元和基材保持机构，所述等离子体CVD电极单元包括：阳极；阴极，其与所述阳极隔开间隔地对置；第一气体供给喷嘴，其以气体通过所述阳极和阴极之间的等离子体生成空间的方式供给气体，基材保持机构配置于通过等离子体生成空间后的气体所触碰的位置，阳极在气体供给方向上的长度及阴极在气体供给方向上的长度均比阳极和阴极之间的距离长。根据本发明，提供一种能提高气体的分解效率、实现高成膜速度的等离子体CVD装置。
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公开(公告)号：CN103459661B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201280016136.0
申请日：2012-02-14
Applicant: 东丽株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C14/34
CPC classification number: C23C14/0063 , C23C14/0068 , C23C14/562 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/455 , C23C16/45517 , C23C16/50 , C23C16/545 , H01J37/32559 , H01J37/32568 , H01J37/32752 , H01J37/3277 , H01J37/3405 , H01J37/3417 , H01J2237/3321 , H01J2237/3325
Abstract: 本发明提供一种等离子体CVD装置，是在真空容器内具备主辊和等离子体产生电极，在将长条基材沿着上述主辊的表面输送的同时，在上述长条基材的表面形成薄膜的真空成膜装置，其中，以包围由上述主辊和上述等离子体产生电极夹着的成膜空间的方式，隔着上述成膜空间地在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧，各设置至少一个沿上述长条基材的宽度方向延伸的侧壁，上述侧壁与上述等离子体产生电极电绝缘，在上述长条基材的输送方向的上游侧和下游侧中的任一侧的侧壁上，具备1列以上的沿上述长条基材的宽度方向呈一列排列的多个气体供给孔所形成的气体供给孔列。
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