公开(公告)号：CN1144573A

公开(公告)日：1997-03-05

申请号：CN95192288.2

申请日：1995-03-09

申请人： 阿莫科/恩龙太阳公司

发明人： 李耀民 ,  默里S·贝内特 ,  杨立友

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。

公开(公告)号：CN1135635C

公开(公告)日：2004-01-21

申请号：CN95192288.2

申请日：1995-03-09

申请人： 阿莫科/恩龙太阳公司

发明人： 李耀民 ,  默里S·贝内特 ,  杨立友

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L31/076 ,  H01L31/03767 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  Y02B10/12 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 通过独特的等离子淀积工艺，生产可有效防止光诱发退化和电流诱发退化的高品质、高稳定的光电器件和电子器件。通过该独特的等离子淀积工艺，可制造具有高开路电压和高负荷系数及具有较宽带隙的大功率、高效单结和多结太阳能电池。优选的工艺是较低的温度、较高的压力和由有高浓度氢气的硅烷辉光放电。