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公开(公告)号：CN1601758A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410090189.4
申请日：2004-05-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/00 , H01L31/04 , H01L31/075 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/076 , Y02E10/548
Abstract: 本发明提供光电元件及光电元件的形成方法。该光电元件，具有在基板上串联配置了第一pin结和第二pin结的结构，所述第一pin结的i型半导体层由非晶质硅构成，所述第二pin结的i型半导体层包含晶质硅，该光电元件在上述第一pin结的p/i界面中具有第一中间层，n/i界面中具有第二中间层，在上述第二pin结的p/i界面中具有第三中间层，n/i界面中具有第四中间层，上述第二中间层和第三中间层由非晶质硅构成，且上述第一中间层和第四中间层包含晶质硅，或者，上述第二中间层和第三中间层包含晶质硅，且上述第一中间层和第四中间层由非晶质硅构成。
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公开(公告)号：CN1377057A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02119067.4
申请日：2002-02-01
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/24 , H01L31/04
CPC classification number: H01J37/32467 , C23C16/24 , C23C16/4404 , H01L21/02422 , H01L21/02425 , H01L21/02491 , H01L21/02505 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L31/022466 , H01L31/022475 , H01L31/182 , H01L31/202 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得:向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体,至少内部的一部分用含硅固体覆盖,在真空容器的内部空间中产生等离子体,以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。
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公开(公告)号：CN1041366C
公开(公告)日：1998-12-23
申请号：CN94120764.1
申请日：1994-12-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/076 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/202 , H01L31/204 , H01L31/206 , Y02E10/52 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。
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公开(公告)号：CN1330003C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200410031289.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/0687 , H01L31/046 , H01L31/0549 , H01L31/076 , H01L31/1824 , H01L31/202 , Y02E10/52 , Y02E10/544 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件，其特征在于，在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层，且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。
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公开(公告)号：CN1284749A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 一种具有层叠结构的光电元件,包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层,其中,所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1229874C
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN00128618.8
申请日：2000-07-14
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/03685 , H01L31/1824 , Y02B10/12 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种光电元件、其制造方法、及使用其的建筑材料和发电装置，该光电元件具有层叠结构，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中，所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上所说第二半导体层的所说近球形微晶相的平均尺寸。
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公开(公告)号：CN1499648A
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN200310102946.0
申请日：2003-10-30
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L31/0392 , C23C14/086 , C23C28/044 , C23C28/30 , C23C28/323 , C23C28/324 , C23C28/345 , C25D9/04 , H01L31/022425 , H01L31/03529 , H01L31/03921 , H01L31/18 , Y02E10/50
Abstract: 提供一种氧化锌膜和使用它的光电元件、以及氧化锌膜的形成方法。该氧化锌膜在表面上具有由凸部组成的多个结构物，该凸部具有第一面和第二面以一根曲线连接的结构，该结构物具有的该第一面的平均倾斜角的大小在30度以上60度以下的范围，该第二面的平均倾斜角的大小在10度以上35度以下的范围的凸部，占上述多个凸部的半数以上。由此，可以提高作为光电元件的光封闭层所使用的氧化锌膜的特性及耐久性，同时可以便宜地形成。
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公开(公告)号：CN1147007C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN99105944.1
申请日：1999-03-03
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/24 , C23C16/509
Abstract: 形成微晶硅系列薄膜的工艺包括：在真空室中与电极相对设置长衬底。同时纵向传送长衬底。使用具有50MHz-550MHz范围内的振荡频率的高频功率使电极和长衬底之间辉光放电在长衬底上淀积微晶硅系列薄膜，其中，作为所述电极的多个棒状电极如此设置，即它们垂直于所述长衬底的法线，并且它们与所述长衬底的间隔全部或部分地不同，本发明还公开了适于执行所述工艺的装置。
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公开(公告)号：CN100524845C
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200710001858.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种叠层型光电元件的制造方法，该叠层型光电元件在包含pn结或pin结的光电元件之间具有中间层，其特征在于，在至少一个光电元件界面上，在叠层主要成分由氧化铟组成的第一层之后，叠层主要成分由氧化锌组成的第二层，从而形成上述中间层。
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公开(公告)号：CN1992356A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200710001858.X
申请日：2004-03-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , H01L31/02
CPC classification number: Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 提供一种叠层型光电元件及其制造方法。该叠层型光电元件是由多个pn结或pin结组成的单元光电元件串联叠层而形成的光电元件，其特征在于，在上述单元光电元件间的至少一处配置氧化锌层，且该氧化锌层的电阻率在层厚方向上不同。
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