公开(公告)号：CN102938420A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210322249.5

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

公开(公告)号：CN101057338B

公开(公告)日：2011-03-16

申请号：CN200580038272.X

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/51 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。

公开(公告)号：CN101057339A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038273.4

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。

公开(公告)号：CN1601758A

公开(公告)日：2005-03-30

申请号：CN200410090189.4

申请日：2004-05-09

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  高井康好 ,  东川诚 ,  都築英寿 ,  中村哲郎

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/076 ,  Y02E10/548

Abstract: 本发明提供光电元件及光电元件的形成方法。该光电元件，具有在基板上串联配置了第一pin结和第二pin结的结构，所述第一pin结的i型半导体层由非晶质硅构成，所述第二pin结的i型半导体层包含晶质硅，该光电元件在上述第一pin结的p/i界面中具有第一中间层，n/i界面中具有第二中间层，在上述第二pin结的p/i界面中具有第三中间层，n/i界面中具有第四中间层，上述第二中间层和第三中间层由非晶质硅构成，且上述第一中间层和第四中间层包含晶质硅，或者，上述第二中间层和第三中间层包含晶质硅，且上述第一中间层和第四中间层由非晶质硅构成。

公开(公告)号：CN1495914A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03158850.6

申请日：1999-06-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 狩谷俊光 ,  佐野政史 ,  西尾丰

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/075 ,  H01L31/1824 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种光电元件，包括p型半导体层和由氧化铟锡构成的透明导电层，它们以面对面的方式结合在一起，其中，透明导电层的氧化锡含量与锡含量之和在层厚方向上变化，并在p型半导体层与透明导电层的结合面处达到最小值。由此提供的光电元件具有较高的光电转换效率，即使长时间暴露于强烈的光照之下，其光电转换效率的下降也极小。

公开(公告)号：CN1377057A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02119067.4

申请日：2002-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  佐野政史 ,  松田高一 ,  东川诚

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01J37/32467 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4404 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/182 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种优异光电特性的硅基薄膜可以通过以下方法获得:向真空容器内部引入含有卤化硅和氢气体的源气体,至少内部的一部分用含硅固体覆盖,在真空容器的内部空间中产生等离子体,以及在提供在真空容器内部的衬底上形成硅基薄膜。

公开(公告)号：CN1041366C

公开(公告)日：1998-12-23

申请号：CN94120764.1

申请日：1994-12-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 德武伸郎 ,  佐野政史 ,  林享 ,  东川诚

IPC: H01L31/18 ,  C23G3/02 ,  C23G5/00

CPC classification number: H01L31/076 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/202 ,  H01L31/204 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明试图提供一种稳定持久高产的制造光电换能器方法，其具有高转换效率和高可靠性便于长期耐用，其特征在于，制造光电换能器的方法，其具有在导电基片上形成功能薄膜，它包括用含水的清洗液对导电基片提供超声清洗，使导电基片表面与净化水接触，并形成功能薄膜。功能薄膜的特征在于，其形成有一金属层作为光反射层，一反射加强层，和一半导体光电器件层，其通过等离子CVD法来制备，其包括含硅原子的非单晶材料作为基质。

公开(公告)号：CN102945857A

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN201210322291.7

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/26 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。

公开(公告)号：CN101057339B

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN200580038273.4

申请日：2005-11-09

Applicant: 佳能株式会社 ,  国立大学法人东京工业大学

Inventor： 佐野政史 ,  中川克己 ,  细野秀雄 ,  神谷利夫 ,  野村研二

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/428 ,  H01L21/363

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。

公开(公告)号：CN101548383B

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200780045082.X

申请日：2007-11-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐野政史 ,  高桥健治

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3244

Abstract: 提供一种可被长期稳定地驱动并可显示具有高清晰度和较少图像缺陷的图像的显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：发光层；夹着发光层的一对电极；用于通过所述一对电极驱动发光层的、具有活性层的晶体管；和具有扫描电极线、信号电极线和第一绝缘层的矩阵布线部分，其中，所述活性层包括含有In和Zn并且至少一部分为非晶的氧化物，并且，其中，含氢量低于3×1021原子/cm3的第二绝缘层被设置在活性层和第一绝缘层之间。