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公开(公告)号：CN102938420B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210322249.5
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN101057333B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200580038303.1
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G03G5/08 , G03G5/144 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L2251/5315
摘要： 本发明的目的在于提供一种使用非晶氧化物的新的发光器件。该发光器件具有位于第1电极(77)和第2电极(79)之间的发光层(78)，和有源层(72)为非晶氧化物的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN101057333A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038303.1
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L27/32 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1225 , G03G5/08 , G03G5/144 , H01L27/1214 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/04 , H01L29/66969 , H01L29/78693 , H01L2251/5315
摘要： 本发明的目的在于提供一种使用非晶氧化物的新的发光器件。该发光器件具有位于第1电极(77)和第2电极(79)之间的发光层(78)，和有源层(72)为非晶氧化物的场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN102938420A
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：CN201210322249.5
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物包含从由Li、Na、Mn、Ni、Pd、Cu、Cd、C、N、P、Ti、Ru和F所构成的组中选择的至少一种元素，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN101057338B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200580038272.X
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/51 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。
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公开(公告)号：CN101057339A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038273.4
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。
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公开(公告)号：CN102945857B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210322291.7
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN101057338A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038272.X
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/51 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要： 提供了一种采用无定形氧化物的新颖的场效应晶体管。在本发明的实施例中，该晶体管包括含有浓度低于1×1018/cm3的电子载流子的无定形氧化物层，栅极绝缘层包括与该无定形氧化物接触的第一层和不同于第一层的第二层。
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公开(公告)号：CN102945857A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210322291.7
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 本发明涉及无定形氧化物和场效应晶体管。所述无定形氧化物的成分在层厚度方向上变化，并且所述无定形氧化物的电子载流子浓度为1012/cm3或更高且低于1018/cm3。其中，所述无定形氧化物是从由以下所构成的组中选择的任一种：包含从In、Zn和Sn中选择的至少一种元素的氧化物；含有In、Zn和Sn的氧化物；含有In和Zn的氧化物；含有In和Sn的氧化物；含有In的氧化物；以及包含In、Ga和Zn的氧化物。
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公开(公告)号：CN101057339B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200580038273.4
申请日：2005-11-09
申请人： 佳能株式会社 , 国立大学法人东京工业大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/428 , H01L21/363
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L21/02422 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02592 , H01L21/02631 , H01L21/428 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 提供了一种新颖的无定形氧化物，其可用于例如TFT的有源层。该无定形氧化物包含微晶体。
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