公开(公告)号：CN101884109B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880118780.2

申请日：2008-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤步 ,  林亨 ,  薮田久人 ,  渡边智大

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。

公开(公告)号：CN101884109A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118780.2

申请日：2008-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤步 ,  林亨 ,  薮田久人 ,  渡边智大

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。

公开(公告)号：CN1499648A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310102946.0

申请日：2003-10-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 近藤隆治 ,  远山上 ,  林亨 ,  园田雄一 ,  西元智紀 ,  山田聪 ,  东川诚 ,  岩田益光 ,  宫本祐介

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20 ,  C23C28/04 ,  C25D9/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C23C14/086 ,  C23C28/044 ,  C23C28/30 ,  C23C28/323 ,  C23C28/324 ,  C23C28/345 ,  C25D9/04 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03529 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供一种氧化锌膜和使用它的光电元件、以及氧化锌膜的形成方法。该氧化锌膜在表面上具有由凸部组成的多个结构物，该凸部具有第一面和第二面以一根曲线连接的结构，该结构物具有的该第一面的平均倾斜角的大小在30度以上60度以下的范围，该第二面的平均倾斜角的大小在10度以上35度以下的范围的凸部，占上述多个凸部的半数以上。由此，可以提高作为光电元件的光封闭层所使用的氧化锌膜的特性及耐久性，同时可以便宜地形成。