公开(公告)号：CN102549757A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200980161640.8

申请日：2009-09-30

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤步 ,  云见日出也 ,  林享 ,  渡边智大

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 在氧化物半导体薄层晶体管中，为了实现阈值电压对于电应力的稳定性和抑制传输特性中阈值电压的变动，本发明提供薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层和经设置以与该氧化物半导体层接触的栅极绝缘层，其中该氧化物半导体层含有氢原子并且包括至少两个作为该氧化物半导体的活性层发挥功能并且在层厚度方向上具有不同的平均氢浓度的区域；并且从栅极绝缘层侧开始将作为该氧化物半导体的活性层发挥功能的区域依次定义为第一区域和第二区域时，该第一区域的平均氢浓度低于该第二区域的平均氢浓度。

公开(公告)号：CN101884109B

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN200880118780.2

申请日：2008-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤步 ,  林亨 ,  薮田久人 ,  渡边智大

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。

公开(公告)号：CN101884109A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118780.2

申请日：2008-11-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 佐藤步 ,  林亨 ,  薮田久人 ,  渡边智大

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78606

Abstract: 提供一种包括氧化物半导体层和与氧化物半导体层接触的绝缘层的氧化物半导体器件，其中，绝缘层包含：与氧化物半导体接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和O的氧化物的第一绝缘层；与第一绝缘层接触、具有50nm或更大的厚度并且包含含有Si和N的氮化物的第二绝缘层；和与第二绝缘层接触的第三绝缘层，并且，第一绝缘层和第二绝缘层具有4×1021原子/cm3或更少的氢含量，并且，第三绝缘层具有大于4×1021原子/cm3的氢含量。