-
公开(公告)号：CN103081027A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040066.8
申请日：2011-06-07
申请人： 国际商业机器公司
发明人： A·A·伯尔 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , G·S·图尔维斯基
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C01B2204/22 , H01L51/0045 , H01L51/442 , Y02E10/549
摘要： 本发明提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中，一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液，所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性，进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地，在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。
-
公开(公告)号：CN103081027B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180040066.8
申请日：2011-06-07
申请人： 国际商业机器公司
发明人： A·A·伯尔 , A·阿夫扎利-阿尔达卡尼 , G·S·图尔维斯基
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , C01B2204/22 , H01L51/0045 , H01L51/442 , Y02E10/549
摘要： 提供一种通过化学掺杂来增加石墨烯膜的导电性的技术。在本发明的一个方面中，一种用于增加石墨烯膜的导电性的方法包括以下步骤。通过一个或多个石墨烯片形成石墨烯膜。将石墨烯片暴露到具有单电子氧化剂的溶液，所述溶液被配置为掺杂石墨烯片从而增加石墨烯片的导电性，进而增加膜的总导电性。石墨烯膜可以在将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液之前形成。可选地，在形成石墨烯膜之前将石墨烯片暴露到单电子氧化剂溶液。还提供一种用于通过石墨烯膜在光伏器件上制造透明电极的方法。
-
公开(公告)号：CN103579097A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310300339.9
申请日：2013-07-17
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： H01L23/52 , H01L21/7682 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/53238 , H01L23/53276 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/0001 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及形成互连结构的方法及互连结构。在存在于衬底表面上的含铜结构的暴露的侧壁表面和最上表面上形成连续的石墨烯层。在含铜结构上所述连续的石墨烯层的存在减少了铜氧化和铜离子的表面扩散，因此提高了所述结构的抗电迁移性。使用石墨烯可以获得这些优点而不增加含铜结构的电阻。
-
-
搜索结果
3 条记录 (耗时 0.036 秒)
