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公开(公告)号：CN1489786A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN01816500.1
申请日：2001-09-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1－xGex层(20)和外延Si1－yGey层，在所述Si1－yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。
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公开(公告)号：CN101176161A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200680016650.9
申请日：2006-03-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C11/24
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C15/046
摘要： 一种非易失性内容可寻址存储器单元包括：第一相变材料元件，所述第一相变材料元件具有连接到匹配线的一端；第一晶体管，所述第一晶体管具有连接到字线的栅极、连接到真位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第一相变材料元件的另一端的漏极；第二相变材料元件，所述第二相变材料元件具有连接到所述匹配线的一端；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有连接到字线的栅极、连接到互补位－读－写－搜索－线的源极、以及连接到所述第二相变材料元件的另一端的漏极。
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公开(公告)号：CN101176161B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200680016650.9
申请日：2006-03-09
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C11/24
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C15/046
摘要： 本发明公开了一种非易失性内容可寻址存储器单元包括：第一相变材料元件，所述第一相变材料元件具有连接到匹配线的一端；第一晶体管，所述第一晶体管具有连接到字线的栅极、连接到真位-读-写-搜索-线的源极、以及连接到所述第一相变材料元件的另一端的漏极；第二相变材料元件，所述第二相变材料元件具有连接到所述匹配线的一端；以及第二晶体管，所述第二晶体管具有连接到字线的栅极、连接到互补位-读-写-搜索-线的源极、以及连接到所述第二相变材料元件的另一端的漏极。该发明通过使用相变材料的CAM单元和系统克服或缓解了现有技术的缺陷和不足。
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公开(公告)号：CN101099248B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200580045925.7
申请日：2005-12-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L29/6656 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/847 , Y10S977/938
摘要： 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。
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公开(公告)号：CN101099248A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580045925.7
申请日：2005-12-13
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L51/00
CPC分类号： H01L29/6656 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/665 , H01L29/7833 , H01L51/0048 , H01L51/0541 , Y10S977/847 , Y10S977/938
摘要： 一种半导体结构，包括：衬底，包括位于其上的至少一个栅极区域，所述至少一个栅极区域包括至少一个一维纳米结构的层；以及金属碳化物接触，位于所述衬底的表面上，对准所述至少一个一维纳米结构的层的边缘。
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公开(公告)号：CN1215550C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN01816500.1
申请日：2001-09-27
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： 本发明公开了一种用于在绝缘体(74)的缓和SiGe(SGOI)上形成应变Si或应变SiGe的方法，在半导体衬底上生长缓变Si1-xGex层(20)和外延Si1-yGey层，在所述Si1-yGey层(30)中注入氢(70)，以形成富氢缺陷层，通过化学机械抛光平滑表面，通过热处理将两个衬底粘结在一起，并在富氢缺陷层分离两个粘结的衬底。可以通过CMP对分离的衬底的上表面(75)进行平滑，该上表面用于外延淀积其它层。
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