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公开(公告)号：CN104851459B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201410384266.0
申请日：2014-08-06
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C15/04 , G11C5/02 , G11C15/046 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/1157 , H01L27/11582
摘要： 半导体器件包括：CAM块，其包括具有相对半导体衬底垂直配置的多个垂直存储串，其中，多个垂直存储串中的每个与多个字线电耦接，以及多个字线中的每个与多个CAM单元电耦接；外围电路，其被配置成对选自多个CAM单元的CAM单元编程；以及控制电路，其被配置成将至少一个命令发送至外围电路以将编程电压同时地施加至第n字线、第n‑1字线和第n+1字线，来对与第n‑1字线、第n字线和第n+1字线电耦接的CAM单元同时编程，其中，第n‑1字线和第n+1字线与第n字线相邻，且选中的CAM单元与第n字线电耦接。
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公开(公告)号：CN103578563B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201310039924.8
申请日：2013-01-31
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 林相吾
IPC分类号： G11C29/12
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00 , G11C15/046 , G11C29/04 , G11C29/789 , G11C2029/4402
摘要： 本发明公开了一种故障地址检测器、半导体存储器件及检测故障地址的方法，所述故障地址检测器包括：CAM锁存器组，所述CAM锁存器组被配置成储存故障地址；以及比较部，所述比较部与CAM锁存器组共同地连接，并且被配置成检测从CAM锁存器组接收的故障地址之中是否存在与比较地址相对应的故障地址。CAM锁存器组以时分的方式共用比较部。
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公开(公告)号：CN102473459B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN200980160142.1
申请日：2009-09-18
申请人： 株式会社东芝
发明人： 木下敦宽
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/046
摘要： 一种使用多个存储器单元构成的半导体相联存储器装置，存储器单元被构成为具有第1输入端、第2输入端和输出端，当第1输入端的输入数据以及储存数据的至少一方是“1”并且第2输入端的输入数据是“1”的情况下输出“1”，除此之外的情况下输出“0”。通过在多个存储器单元的相邻的单元之间连接第2输入端和输出端构成检索字串。通过以共用同一列的存储器单元的第1输入端的形式连接多个上述检索字串，从而构成检索块。
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公开(公告)号：CN101937712B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201010213708.7
申请日：2010-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 朴镇寿
CPC分类号： G11C15/046 , G11C16/0483 , G11C16/10
摘要： 本发明提供一种操作非易失性存储器件的方法，其中，非易失性存储器件的存储单元块中的至少一个存储单元块被指定为内容可寻址存储器(CAM)块，该CAM块包括耦合到非易失性存储器件的各个字线的多个CAM单元。用于操作非易失性存储器件的芯片信息被储存在耦合到选中的字线的CAM单元，而CAM块的其余CAM单元处于擦除状态。
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公开(公告)号：CN1595527B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200410078554.X
申请日：2004-09-09
申请人： 硅存储技术公司
CPC分类号： G11C16/22 , G11C11/5642 , G11C15/00 , G11C15/04 , G11C15/046 , G11C16/26 , G11C2211/5641
摘要： 一种统一的存储器可包括多种类型的内容，例如数据或快码或慢码。该数据或代码可以存储于单独的阵列中或公用阵列中。在阵列中，标签位可表示内容的类型，例如数据或快码或慢码或单级或多级内容。标签位可表示通信接口或IO驱动器类型。感测放大器可基于所读取数据的类型进行配置。使用闪存安全性措施来保护受保护的存储区。使用闪存安全性密钥来鉴别和批准特定的存储区。在统一的存储器中包括XCAM(例如，CAM)阵列。包括统一的存储器并行性。
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公开(公告)号：CN102341863A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：CN201080010880.0
申请日：2010-01-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/046 , G11C13/0004
摘要： 一种内容可寻址存储器器件，具有存储高、低和随意这些三元数据值的多个存储器单元。内容可寻址存储器器件的一个方面在于存储器单元中的第一存储器元件和第二存储器元件的使用。第一存储器元件和第二存储器元件在并联电路中电耦合到匹配线。第一存储器元件耦合到第一字线，第二存储器元件耦合到第二字线。第一存储器元件配置用于在三元数据值为低的情况下存储低阻态以及在三元数据值为高或者随意的情况下存储高阻态。第二存储器元件配置用于在三元数据值为高的情况下存储低阻态，以及在三元数据值为低或者随意的情况下存储高阻态。
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公开(公告)号：CN101937712A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010213708.7
申请日：2010-06-30
申请人： 海力士半导体有限公司
发明人： 朴镇寿
CPC分类号： G11C15/046 , G11C16/0483 , G11C16/10
摘要： 本发明提供一种操作非易失性存储器件的方法，其中，非易失性存储器件的存储单元块中的至少一个存储单元块被指定为内容可寻址存储器(CAM)块，该CAM块包括耦合到非易失性存储器件的各个字线的多个CAM单元。用于操作非易失性存储器件的芯片信息被储存在耦合到选中的字线的CAM单元，而CAM块的其余CAM单元处于擦除状态。
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公开(公告)号：CN101620884A
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200910150841.X
申请日：2009-06-23
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
摘要： 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间，接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补，则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。
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公开(公告)号：CN101149971A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710154773.5
申请日：2007-09-19
申请人： 三星电子株式会社
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C15/046 , G11C13/0004
摘要： 根据示例实施例，一种包含在内容可寻址存储器(CAM)中的CAM单元可以包括相变存储器件、连接器、和/或显现器。所述相变存储器件可以配置用于存储数据。所述相变存储器件可以具有可根据所存储的数据的逻辑电平而变化的电阻。所述连接器可以配置用于控制向所述相变存储器件写数据以及从所述相变存储器件读数据。所述显现器可以配置用于在其中将存储在所述相变存储器件中的数据与搜索数据进行比较的搜索模式下控制从所述相变存储器件读数据。
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公开(公告)号：CN1444767A
公开(公告)日：2003-09-24
申请号：CN01813377.0
申请日：2001-05-31
申请人： 莫塞德技术公司
CPC分类号： G11C15/043 , G11C11/56 , G11C11/5642 , G11C15/00 , G11C15/04 , G11C15/046
摘要： 公开了一种用于在内容可寻址存储器的查找并比较操作期间检测单匹配、多于一个匹配或无匹配状态的多重匹配线读出电路。该电路将多重匹配线的电压上升速率与参考多重匹配线的电压上升速率进行比较，从而产生多比特结果，该结果表示三种状态之一。该电路产生自定时控制信号以结束查找并比较操作，并将电路设置到预充电状态。
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