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公开(公告)号：CN100440379C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN02823327.1
申请日：2002-09-23
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/043
摘要： 公开一种具有三比特存储的三级CAM单元。三比特存储配置成支持可以从CAM单元读出而不需要电荷恢复操作的三种稳定状态。三种稳定状态是指以下状态：当三比特中一个比特处于第一逻辑状态时，其余两个比特处于第二逻辑状态。这三种稳定状态可以用来对三进制CAM中所使用的三种逻辑状态进行编码。
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公开(公告)号：CN100380525C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN02809118.3
申请日：2002-04-25
申请人： 莫塞德技术公司
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/18 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要： 公开了一种用于在高密度封装的动态内容可寻址存储器中的位线快速预先充电的结构和方法。按照一种开位线结构设置了动态内容可寻址存储器单元来获得高的封装密度。在每两条相邻开位线对之间通过均衡，来预先充电位线。更具体地，位线读出放大器的同一侧的位线及其相邻位线在沿着位线的几个单元上进行了均衡以便它们以高速均衡，典型地，这在开位线结构中是无法实现的。因此，相邻位线以类似于折叠式位线结构的方式进行预先充电。附加均衡电路连接在每个开位线对的互补位线之间，从而在该预先充电阶段中，这两个开位线对的所有四条位线都彼此均衡。为了确保所有的四条位线都均衡到中点电压电平，在均衡之前将互补逻辑电平写到位线上。
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公开(公告)号：CN1439160A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811709.0
申请日：2001-05-01
申请人： 莫塞德技术公司
CPC分类号： G11C7/06 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要： 公开了一种用于检测CAM阵列的匹配线上的上升电压的匹配线读出电路。在接通电流源为匹配线提供电流并提高匹配线的电压之前，该电路将所述匹配线预充电到地。参考匹配线读出电路产生自定时控制信号以使电流源在预定时段保持接通。匹配线上读出的数据在电流源被断开之后被锁存，并且匹配线被预充电到地。由于本发明的匹配线读出电路将匹配线预充电到地而不是到电源电压VDD，因此功耗较少。通过读出匹配线电压上升到n沟道晶体管门限电位，提高了匹配线读出操作的速度。
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公开(公告)号：CN105493188B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201480044584.0
申请日：2014-07-10
申请人： 美光科技公司
发明人： 特洛伊·A·曼宁
CPC分类号： G11C7/065 , G11C7/06 , G11C7/062 , G11C7/10 , G11C7/1006 , G11C7/1048 , G11C7/12 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , G11C15/043
摘要： 本发明包含与使用感测电路执行比较及/或报告运算有关的设备及方法。一种实例方法可包含将存储器阵列的输入/输出IO线充电到一电压。所述方法可包含确定存储于所述存储器阵列中的数据是否匹配比较值。所存储的数据是否匹配比较值的所述确定可包含激活所述存储器阵列的若干存取线。所述确定可包含感测耦合到所述若干存取线的若干存储器单元。所述确定可包含感测所述IO线的所述电压是否响应于对应于所述若干存储器单元的选定解码线的激活而改变。
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公开(公告)号：CN103310838A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310042432.4
申请日：2013-02-01
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 和田实邦子
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C15/046 , G11C15/00 , G11C15/02 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要： 需要高度集成内容可寻址存储器（CAM）的电路区域和确保其较快的操作。优先编码器和行译码器部分共享包括一个以上行的行地址寄存器。该行地址寄存器的各行对应TCAM阵列矩阵的各条目并且保存各地址。该行地址寄存器的各行对应TCAM阵列矩阵的各字线和匹配线。向TCAM阵列矩阵写入数据激活保存在行地址寄存器中的与指定地址对应的行的字线。搜索TCAM阵列矩阵激活TCAM阵列矩阵的匹配线。行地址寄存器的对应行存储TCAM阵列矩阵的与搜索数据匹配的条目的地址。
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公开(公告)号：CN1592935A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN02823327.1
申请日：2002-09-23
申请人： 微米技术有限公司
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/043
摘要： 公开一种具有三比特存储的三级CAM单元。三比特存储配置成支持可以从CAM单元读出而不需要电荷恢复操作的三种稳定状态。三种稳定状态是指以下状态：当三比特中一个比特处于第一逻辑状态时，其余两个比特处于第二逻辑状态。这三种稳定状态可以用来对三进制CAM中所使用的三种逻辑状态进行编码。
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公开(公告)号：CN1408118A
公开(公告)日：2003-04-02
申请号：CN01805996.1
申请日：2001-03-05
申请人： 睦塞德技术公司
IPC分类号： G11C15/04 , G11C11/412 , H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号： H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要： 一种存储器单元，包括：一反向级；一耦合在一数据线和反向级的输入端之间的存取晶体管，该存取晶体管与控制信号相对应，用于有选择地耦合数据线和反向级的输入；一耦合在反向级输入端并与反向级的输出端相对应的反馈部件，用于在第一逻辑状态下锁定反向级，从而利用流经存取晶体管的、大于流经反馈晶体管的电流的泄漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。
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公开(公告)号：CN104885159A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201380068595.8
申请日：2013-12-20
申请人： 高通股份有限公司
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00 , G11C15/043 , G11C15/046
摘要： 静态三态内容可寻址存储器(TCAM)包括耦合到中间匹配线的键单元和掩码单元。键单元耦合到第一下拉晶体管和第一上拉晶体管。掩码单元耦合到第二下拉晶体管和第二上拉晶体管。第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并联连接，而第一上拉晶体管和第二上拉晶体管串联连接。匹配线输出也耦合到第一下拉晶体管和第二下拉晶体管并且进一步耦合到第一上拉晶体管和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1574095A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410045286.1
申请日：2004-06-04
申请人： 恩益禧电子股份有限公司
发明人： 上田岳洋
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G11C15/043 , G11C15/04
摘要： 本发明的半导体存储设备配备有：第一单元部件，包括第一存储单元选择晶体管、第一和第二比较晶体管以及第一电容；以及第二单元部件，包括第二存储单元选择晶体管、第三和第四比较晶体管以及第二电容；所示单元部件沿着界限并排地布置以构成存储单元，其中由第一比较线控制的第二比较晶体管连接到匹配线，以及由第二比较线控制的第四比较晶体管连接到接地线。
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公开(公告)号：CN1186782C
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN01142982.8
申请日：2001-12-06
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： G11C11/4063 , G11C11/401
CPC分类号： G11C15/043 , G11C15/04
摘要： 一种动态内容可寻址存储器(DCAM)单元拓扑结构，包含能够进行既不会延迟又不会中断CAM搜索周期的存储数据“隐”刷新的较少晶体管，从而提供了类SCAM的性能。进行非破坏性读出操作使得存储数据不必由于刷新-读出操作而回写。在读出操作之后，和在回写刷新数据之前或甚至同时，可以进行可靠的CAM搜索。可以在刷新周期进行中对每个CAM入口进行软错误检测处理。DCAM单元可以用于诸如数字计算机和网络路由器之类的数字系统中。
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