-
公开(公告)号:CN1408118A
公开(公告)日:2003-04-02
申请号:CN01805996.1
申请日:2001-03-05
申请人: 睦塞德技术公司
IPC分类号: G11C15/04 , G11C11/412 , H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号: H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要: 一种存储器单元,包括:一反向级;一耦合在一数据线和反向级的输入端之间的存取晶体管,该存取晶体管与控制信号相对应,用于有选择地耦合数据线和反向级的输入;一耦合在反向级输入端并与反向级的输出端相对应的反馈部件,用于在第一逻辑状态下锁定反向级,从而利用流经存取晶体管的、大于流经反馈晶体管的电流的泄漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。
-
公开(公告)号:CN1248237C
公开(公告)日:2006-03-29
申请号:CN01805996.1
申请日:2001-03-05
申请人: 睦塞德技术公司
IPC分类号: G11C15/04 , G11C11/412 , H01L21/8244 , H01L27/11
CPC分类号: H01L27/1104 , G11C11/412 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要: 一种存储器单元,包括:耦合在一供电导线和一控制线之间的CMOS反向器,所述反向器具有一软节点和一硬节点;一耦合在一位线和所述软节点之间的存取晶体管,用于根据沿所述控制线接收的控制信号有选择地把所述位线耦合到所述软节点;一耦合在所述软节点和所述供电导线之间的反馈晶体管,所述反馈晶体管响应于所述硬节点用于在第一逻辑状态下锁定所述反向器,从而利用流经所述存取晶体管的、大于流经所述反馈晶体管的电流的漏电流把所述单元保持在一第二逻辑状态。
-