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公开(公告)号：CN115050725A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202111348910.5
申请日：2021-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538
Abstract: 提供了指纹传感器封装件和包括其的智能卡。所述指纹传感器封装件包括：第一基板，包括芯绝缘层、位于所述芯绝缘层上第一接合焊盘以及位于所述芯绝缘层的第二表面的边缘与所述第一接合焊盘之间的外部连接焊盘；第二基板，位于所述芯绝缘层上，所述第二基板包括在第一方向上间隔开并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的多个第一感测图案、在所述第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上延伸的多个第二感测图案以及第二接合焊盘；导电线，所将所述第一接合焊盘电连接到所述第二接合焊盘；控制器芯片，位于所述第二基板上；以及模制层，覆盖所述第二基板和所述第一接合焊盘并与所述外部连接焊盘间隔开。
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公开(公告)号：CN112687313A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011114785.7
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种相变存储器系统，包括相变存储器设备和相变存储器控制器，该相变存储器设备包括多个存储器单元，该多个存储器单元包括以至少一个或多个码字为单位的多个存储器元件，该相变存储器控制器执行用于刷新整个相变存储器设备的芯片刷新操作，其中相变存储器设备包括设置电路、刷新控制器、感测电路和请求电路，该设置电路以期望的方式确定多个存储器单元中的一个，该刷新控制器刷新所确定的存储器单元，该感测电路感测刷新的存储器单元中包括的至少一个或多个码字的数据，而该请求电路基于感测操作的结果向主机请求芯片刷新操作。
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公开(公告)号：CN101154444B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200710108745.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C16/3486 , G11C2013/0076
Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。
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公开(公告)号：CN101740118A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910253065.6
申请日：2009-11-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/1018 , G11C8/18 , G11C11/5678 , G11C13/00 , G11C13/0004
Abstract: 提供一种相变和阻变随机存取存储器设备，该存储器设备包括相变或阻变存储器单元阵列和配置为放大从所述相变存储器单元阵列读取的数据的读出放大器。这些随机存取存储器设备配置为从所述相变或阻变存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且在突发模式操作期间当第一边界跨越发生时，插入其中没有数据读取的伪突发。也提供了一种在突发模式中操作相变和/或阻变随机存取存储器设备的相关方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101140806A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149020.5
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064
Abstract: 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
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公开(公告)号：CN101140802A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149028.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 在相变随机访问存储器(PRAM)设备中，利用多个编程循环，将数据编程到所选存储单元中。在每个编程循环中，在连续的时隙中，进行对包括所选存储单元的单元组的划分编程操作。
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公开(公告)号：CN109768158B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201810921238.6
申请日：2018-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括在衬底上沿第一方向延伸的第一字线、在第一字线上沿第二方向延伸的第一位线、设置在第一字线与第一位线之间的第一存储单元、在第一位线上沿第一方向延伸的第二字线、在第二字线上沿第二方向延伸的第二位线、设置在第二字线与第二位线之间的第二存储单元、以及连接到第一位线和第二位线的第一位线连接结构。第一位线连接结构包括连接到第一位线的第一位线接触以及连接到第二位线并垂直地重叠第一位线接触的第二位线接触。
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公开(公告)号：CN107767913B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201710695642.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括：状态信号生成电路，生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号；以及状态信号输出控制电路，接收第一信号，并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态，并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
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