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公开(公告)号：CN107403645B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN201710266270.0
申请日：2017-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件的读取方法。所述方法包括将从非易失性存储器件的所选择的存储器单元感测到的数据存储到页缓冲器中，通过对感测到的数据执行错误检测以检测错误，如果检测到错误则纠正检测到的错误，使用经纠正的数据重写页缓冲器，并在完成错误解码操作之后通过使用种子来对存储在页缓冲器中的数据进行解随机化。
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公开(公告)号：CN108281167B
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN201711247786.7
申请日：2017-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。
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公开(公告)号：CN109754835A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2013/0052 , G11C2013/0092 , G11C2213/72 , G11C2213/76
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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公开(公告)号：CN107274929B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710212175.2
申请日：2017-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于执行随机操作的非易失性存储器装置。一种非易失性存储器装置包括存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括：多个第一段，具有写入数据；多个第二段，具有定义来自所述多个第一段的编程的段的编程信息。随机化发生器被配置为对写入数据进行随机化。纠错电路被配置为对写入数据执行纠错操作。控制逻辑被配置为确定来自从存储器控制器接收的地址的编程信息，并在编程操作期间基于编程信息的确定来确定是否运行随机化发生器和纠错电路。页缓冲器被配置为在随机化和纠错操作期间存储写入数据和编程信息。
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公开(公告)号：CN107203435B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710156724.9
申请日：2017-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 鲜于桢
Abstract: 一种操作非易失性存储器设备的方法包括：通过感测存储在存储单元阵列的源页中的数据，将感测数据存储在页缓冲器电路中；从所述页缓冲器电路输出所述感测数据；对从页缓冲器电路输出的感测数据执行纠错码(ECC)解码；将经解码的数据存储在所述页缓冲器电路中；以及通过使用与所述源页相对应的种子值对从所述页缓冲器电路输出的经解码数据执行去随机化，将去随机化的数据提供给外部设备作为读取数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109872751B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN201811375197.1
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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公开(公告)号：CN112700808A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011031239.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关元件和具有相变材料的数据存储元件，并且每个存储器单元连接到多条字线中的一条字线和多条位线中的一条位线；解码器电路，被配置为将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为：将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，检测被选存储器单元的保持电压，并且基于检测的保持电压调节编程电流的大小。当被选存储器单元两端的电压低于保持电压时，被选存储器单元截止。
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公开(公告)号：CN109872751A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201811375197.1
申请日：2018-11-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本申请提供了一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括具有开关元件和连接至开关元件的数据存储元件的存储器单元，其中，数据存储元件具有相变材料；以及存储器控制器，其将第一读电流输入至存储器单元以检测第一读电压，将第二读电流输入至存储器单元以检测第二读电压，以及将补偿电流输入至存储器单元，其中补偿电流降低数据存储元件的电阻值，当存储器单元的第一状态与存储器单元的第二状态不同时输入补偿电流，利用第一读电压确定第一状态，并且利用第二读电压确定第二状态。
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公开(公告)号：CN109754835B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN201811239202.6
申请日：2018-10-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，其中，所述多个存储单元中的每个存储单元包括开关元件和连接到所述开关元件的数据存储元件，其中，所述数据存储元件包括相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器被配置为：通过将操作电流输入到所述多个存储单元中的第一存储单元来对所述第一存储单元执行控制操作，并在将所述操作电流输入到所述第一存储单元之前或之后，在所述第一存储单元中输入从所述数据存储元件流向所述开关元件的补偿电流。
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