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公开(公告)号：CN1838321B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610071461.3
申请日：2006-03-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C11/4193 , G11C16/02 , G11C16/06
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004
Abstract: 本发明涉及具有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备。本发明公开了一种包括具有增强的位线和/或字线驱动能力的相变随机存取存储器(PRAM)设备，其在编程和读取操作期间支持高位线和/或字线回转速率。该相变随机存取存储器(PRAM)设备包括多个行和列的PRAM存储器单元以及至少一个电耦合到一列PRAM存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。
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公开(公告)号：CN1996493B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610171783.5
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , H01L27/24 , H01L23/522
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148
Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。
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公开(公告)号：CN1975927B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200610163200.4
申请日：2006-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种相可变存储器件以及读取数据的相关方法。存储器件由存储单元、高电压电路、预充电电路、偏置电路、以及读出放大器组成。每一个存储单元包括相可变材料和与位线相连的二极管。高电压电路根据电源提供高电压。预充电电路在将位线充电到电源电压之后，将位线升高到高电压。偏置电路借助于高电压向位线提供读取电流。读出放大器借助于高电压将位线的电压与基准电压相比较，并且从存储单元读取数据。存储器件能够减少预充电操作期间高电压电路的负荷，从而确保在读出期间足够的读出裕度。
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公开(公告)号：CN101140802A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149028.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 在相变随机访问存储器(PRAM)设备中，利用多个编程循环，将数据编程到所选存储单元中。在每个编程循环中，在连续的时隙中，进行对包括所选存储单元的单元组的划分编程操作。
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公开(公告)号：CN101051526A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710092124.7
申请日：2007-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: G11C8/10 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/72
Abstract: 公开了一种相变存储器装置。其包括：存储单元阵列，包括关于相变材料编程的多个存储单元；以及写入驱动器电路，被配置为向选定存储单元提供置位电流与复位电流。该写入驱动器电路包含被配置为提供置位电流的置位电流驱动器以及被配置为提供复位电流的复位电流驱动器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1921013A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200610132286.4
申请日：2006-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0023 , G11C13/0026 , H01L27/2409 , H01L27/2436
Abstract: 一种相位变化随机访问存储装置，包括连接到写电路和读电路的全局位线；多条局部位线，其中每条被连接到多个相位变化存储单元；以及多个列选择晶体管，选择性地将该全局位线连接到多条局部位线中的每一条。每个列选择晶体管具有取决于与该写电路和该读电路距离的电阻。
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公开(公告)号：CN110910928A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910857211.X
申请日：2019-09-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/408
Abstract: 公开一种存储器模块。一种存储器模块包括：多个存储器器件，均包括存储器单元阵列；以及寄存器时钟驱动器，连接到存储器器件。寄存器时钟驱动器检测与存储器单元阵列的字线对应的行地址之中的行锤击地址，将从存储器控制器接收的用于刷新存储器单元阵列的多个刷新命令之中的刷新命令转换为行锤击刷新命令，并将行锤击刷新命令和行锤击地址发送到所述多个存储器器件中的每个。
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公开(公告)号：CN100573713C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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公开(公告)号：CN101369457A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129754.1
申请日：2008-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2211/5622 , G11C2211/5641 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 将具有三级非易失存储单元的非易失存储装置的设备和操作方法用于在非易失存储单元中存储多于一位的数据。另外，通过写校验操作可以选择性地写入数据，由此提高写操作可靠性。操作方法包括提供具有第一到第三非易失存储单元的存储单元阵列，其中每一个存储单元能够存储分别与第一到第三电阻级对应的第一数据到第三数据之中的一个。每一个电阻级彼此不同。在写操作的第一间隔期间，分别将第一和第三数据写入第一和第三非易失存储单元中。在写操作的第二间隔期间将第二数据写入第二非易失存储单元中。
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公开(公告)号：CN1822226A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200510003456.4
申请日：2005-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56
CPC classification number: H03L7/0812 , B82Y10/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , G11C11/5607 , G11C2211/5615 , H01L27/228 , H03L7/0891
Abstract: 本发明公开了一种具有多位单元阵列结构的磁随机存取存储器(RAM)，其包括形成在衬底上的访问晶体管、第一至第三可变电阻元件和第一至第三电流供给线。该第一至第三可变电阻元件布置在位线和访问晶体管之间并且在电气上彼此相连。该第一至第三电流供给线与该第一至第三可变电阻元件交替堆叠。该第一至第三可变电阻元件具有相同的电阻。
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