公开(公告)号：CN101154444B

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN200710108745.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  李光振 ,  姜尚范 ,  赵佑塋

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3486 ,  G11C2013/0076

Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。

公开(公告)号：CN101154444A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710108745.X

申请日：2007-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 鲁有桓 ,  李光振 ,  姜尚范 ,  赵佑塋

IPC: G11C11/56 ,  G11C29/00

CPC classification number: G11C13/0064 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/3486 ,  G11C2013/0076

Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。