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公开(公告)号:CN102326207A
公开(公告)日:2012-01-18
申请号:CN201080008624.8
申请日:2010-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: L·拉斯特拉斯-莫塔诺 , M·弗兰切斯基尼 , C·H·拉姆 , B·拉金德兰
CPC classification number: G11C15/00 , G11C7/1006 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C15/046
Abstract: 披露了使用编码数据字和搜索字的内容可寻址存储器以及用于操作此类设备的技术。在一个实施例中,所述数据字被转换为代码字,所述代码字保证当所述数据字与所述搜索字不匹配时,在存储器搜索操作期间不同二进制值的至少两个代码字位不匹配。在另一实施例中,所述搜索字被转换为搜索代码,以便当所述数据字和所述搜索字之间的至少一个位不匹配时,所述代码字和所述搜索代码之间的汉明距离大于给定阈值。
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公开(公告)号:CN102667826A
公开(公告)日:2012-09-12
申请号:CN201080051985.0
申请日:2010-08-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0002 , H01L27/285
Abstract: 一种仿神经电路包括:第一场效应晶体管,处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括:第二场效应晶体管,处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括:可变电阻材料,电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者,其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括:第一结,电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点;以及第二结,电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。
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公开(公告)号:CN101620884A
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200910150841.X
申请日:2009-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
Abstract: 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间,接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补,则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。
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公开(公告)号:CN102667826B
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201080051985.0
申请日:2010-08-25
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: G06N3/0635 , G11C11/54 , G11C13/0002 , H01L27/285
Abstract: 一种仿神经电路包括:第一场效应晶体管,处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括:第二场效应晶体管,处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括:可变电阻材料,电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者,其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括:第一结,电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点;以及第二结,电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。
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公开(公告)号:CN102326207B
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201080008624.8
申请日:2010-01-25
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor: L·拉斯特拉斯-莫塔诺 , M·弗兰切斯基尼 , C·H·拉姆 , B·拉金德兰
CPC classification number: G11C15/00 , G11C7/1006 , G11C13/0004 , G11C15/02 , G11C15/046
Abstract: 披露了使用编码数据字和搜索字的内容可寻址存储器以及用于操作此类设备的技术。在一个实施例中,所述数据字被转换为代码字,所述代码字保证当所述数据字与所述搜索字不匹配时,在存储器搜索操作期间不同二进制值的至少两个代码字位不匹配。在另一实施例中,所述搜索字被转换为搜索代码,以便当所述数据字和所述搜索字之间的至少一个位不匹配时,所述代码字和所述搜索代码之间的汉明距离大于给定阈值。
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公开(公告)号:CN101620884B
公开(公告)日:2013-04-03
申请号:CN200910150841.X
申请日:2009-06-23
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: G11C15/00
CPC classification number: G11C15/02 , G11C11/16 , G11C13/0004 , G11C15/04 , G11C15/046
Abstract: 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间,接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补,则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。
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