面积有效仿神经电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102667826A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201080051985.0

    申请日:2010-08-25

    CPC classification number: G06N3/0635 G11C11/54 G11C13/0002 H01L27/285

    Abstract: 一种仿神经电路包括:第一场效应晶体管,处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括:第二场效应晶体管,处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括:可变电阻材料,电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者,其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括:第一结,电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点;以及第二结,电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。

    使用相变器件的高密度内容寻址存储器

    公开(公告)号:CN101620884A

    公开(公告)日:2010-01-06

    申请号:CN200910150841.X

    申请日:2009-06-23

    CPC classification number: G11C15/02 G11C11/16 G11C13/0004 G11C15/04 G11C15/046

    Abstract: 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间,接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补,则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。

    面积有效仿神经电路
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102667826B

    公开(公告)日:2015-03-18

    申请号:CN201080051985.0

    申请日:2010-08-25

    CPC classification number: G06N3/0635 G11C11/54 G11C13/0002 H01L27/285

    Abstract: 一种仿神经电路包括:第一场效应晶体管,处于在所述第一场效应晶体管的第一栅极和第一漏极之间建立电连接的第一二极管配置。所述仿神经电路还包括:第二场效应晶体管,处于在所述第二场效应晶体管的第二栅极和第二漏极之间建立电连接的第二二极管配置。所述仿神经电路还包括:可变电阻材料,电连接到所述第一漏极和所述第二漏极二者,其中所述可变电阻材料提供可编程电阻值。所述仿神经电路附加地包括:第一结,电连接到所述可变电阻材料并提供到神经元电路的输出的第一连接点;以及第二结,电连接到所述可变电阻材料并提供到所述神经元电路的所述输出的第二连接点。

    使用相变器件的高密度内容寻址存储器

    公开(公告)号:CN101620884B

    公开(公告)日:2013-04-03

    申请号:CN200910150841.X

    申请日:2009-06-23

    CPC classification number: G11C15/02 G11C11/16 G11C13/0004 G11C15/04 G11C15/046

    Abstract: 本发明涉及使用相变器件的高密度内容寻址存储器。一种在存储器元件中存储存储的字的内容寻址存储器阵列。每个存储器元件存储至少两个互补的二进制位中的一个作为至少两个互补电阻中的一个。每个存储器元件被电耦合至存取器件。内容寻址存储器阵列的一个方面是使用偏置电路使存取器件在搜索操作期间偏置。在搜索操作期间,接收包含位串的搜索字。每个存取器件被偏置至在搜索字中的对应搜索位的互补电阻值。如果存储在存储器元件中的位与由存取器件中的电阻表示的位互补,则指示出搜索字与存储的字之间的匹配。

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