公开(公告)号：CN103730491A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310168042.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  金钟燮 ,  朴基烈 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H03K3/012

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。

公开(公告)号：CN103715240A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310128726.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  金景妍 ,  金俊溶 ,  朴基烈 ,  申在光 ,  黄瑄珪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。

公开(公告)号：CN103579329A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310130438.7

申请日：2013-04-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。HEMT可以包括：半导体层；具有开口的掩模层，在半导体层上；以及耗尽形成层，设置在半导体层的被开口暴露的部分上。耗尽形成层可以在半导体层的二维电子气（2DEG）中形成耗尽区。凹陷区可以形成在半导体层中，掩模层的开口可以暴露凹陷区的至少一部分。掩模层可以覆盖半导体层的上表面和凹陷区的内侧表面。或者，掩模层可以覆盖半导体层的上表面、凹陷区的内侧表面、以及凹陷区的底表面的一部分。