公开(公告)号：CN103715240A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310128726.9

申请日：2013-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  金景妍 ,  金俊溶 ,  朴基烈 ,  申在光 ,  黄瑄珪

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了一种常闭型高电子迁移率晶体管（HEMT）。该常闭型HEMT包括：沟道层，具有第一氮化物半导体；沟道供应层，包括在沟道层上的第二氮化物半导体以将二维电子气（2DEG）诱导到沟道层；源电极和漏电极，布置在沟道供应层的两侧；耗尽形成层，在沟道供应层上以在2DEG的至少局部区域中形成耗尽区并且具有至少两个厚度；栅绝缘层，在所述耗尽形成层上；以及栅电极，在所述栅绝缘层上以接触所述耗尽形成层。