公开(公告)号：CN103151374A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201210526107.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝 ,  河种奉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。

公开(公告)号：CN103730491A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201310168042.1

申请日：2013-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全佑彻 ,  金钟燮 ,  朴基烈 ,  朴永焕 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7781 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H03K3/012

Abstract: 一种高电子迁移率晶体管（HEMT）和驱动该HEMT的方法。HEMT包括：用于在沟道层内部感应出二维电子气（2DEG）的沟道提供层；在沟道提供层上形成的耗尽形成层；在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的第一栅极电极；以及在耗尽形成层上并且在源极电极和漏极电极之间形成的至少一个第二栅极电极。

公开(公告)号：CN103151374B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201210526107.0

申请日：2012-12-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  吴在浚 ,  李在垣 ,  崔孝枝 ,  河种奉

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明公开一种高电子迁移率晶体管。该高电子迁移率晶体管包括第一半导体层、形成在第一半导体层上的第二半导体层、以及形成在第二半导体层上的反二极管栅结构。

公开(公告)号：CN103311289A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210427387.X

申请日：2012-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  金钟燮 ,  申在光 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  黄仁俊

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明提供了高电子迁移率晶体管（HEMT）和制造HEMT的方法，该HEMT的封装是容易的，该HEMT包括：缓冲层；沟道层，形成在缓冲层上并包括二维电子气（2DEG）沟道；沟道提供层，形成在沟道层上；源电极、漏电极和栅电极，形成在沟道提供层上；源极接触垫，连接到源电极；漏极接触垫，连接到漏电极；以及栅极接触垫，连接到栅电极，其中源极接触垫、漏极接触垫和栅极接触垫中的一个或两个设置在缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。

公开(公告)号：CN102916044A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210256482.8

申请日：2012-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄仁俊 ,  崔赫洵 ,  吴在浚 ,  河种奉 ,  金钟燮 ,  洪起夏 ,  申在光

IPC: H01L29/778 ,  H01L23/373 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: 本发明提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法。HEMT包括：基板；以及形成在基板上的HEMT层叠，其中所述HEMT层叠包括：包括2维电子气（2DEG）的化合物半导体层；上化合物半导体层，具有比所述化合物半导体层的极化指数高的极化指数；以及设置在所述上化合物半导体层上的源电极、漏电极和栅极，其中所述基板是具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的氮化物基板。所述基板可以包括具有比硅基板的介电常数和导热系数高的介电常数和导热系数的绝缘层、设置在所述绝缘层上的金属层、以及附接到所述金属层的板。