公开(公告)号：CN103325904A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310080154.1

申请日：2013-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  朴成恩 ,  郑薰在

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/10

Abstract: 本发明公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻，以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。

公开(公告)号：CN103325904B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201310080154.1

申请日：2013-03-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  朴成恩 ,  郑薰在

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/60 ,  H01L33/10

Abstract: 本申请公开了一种包括氮化物基半导体全方向反射器的发光装置。该发光装置包括氮化物基反射器和置于所述氮化物基反射器上的发光单元。所述氮化物基反射器包括交替层叠的未掺杂氮化物半导体层和重度掺杂氮化物半导体层。在所述重度掺杂氮化物半导体层的边缘处对其进行蚀刻，以在相邻的未掺杂氮化物半导体层之间形成空气层。

公开(公告)号：CN103426988A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310189914.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  柳建旭 ,  车南求 ,  许在赫 ,  成汉珪 ,  郑薰在

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  Y10S977/762

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。

公开(公告)号：CN102403428B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201110281198.1

申请日：2011-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成汉珪 ,  郑薰在 ,  杨丁子 ,  孙哲守

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L27/156 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/816

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。III族氮化物纳米棒发光装置包括：基底；绝缘膜，形成在基底上并且包括暴露部分基底且具有不同直径的多个开口；以及第一导电III族氮化物纳米棒，具有不同的直径，第一导电III族氮化物纳米棒分别形成在所述多个开口中，其中，每个第一导电III族氮化物纳米棒具有顺序地形成在其表面上的有源层和第二导电半导体层。

公开(公告)号：CN102403430B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201110276450.X

申请日：2011-09-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  郑薰在 ,  成汉珪 ,  孙哲守 ,  李镇贤 ,  高炯德

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/00 ,  H01S5/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L29/78684 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046

Abstract: 提供了一种石墨烯发光装置及其制造方法。石墨烯发光装置包括：掺杂有p型掺杂剂的p型石墨烯；掺杂有n型掺杂剂的n型石墨烯；以及布置于p型石墨烯和n型石墨烯之间并发光的活性石墨烯，其中，p型石墨烯、n型石墨烯和活性石墨烯水平放置。

公开(公告)号：CN102403417B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110281232.5

申请日：2011-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成汉珪 ,  郑薰在 ,  杨丁子 ,  孙哲守

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/08 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物纳米棒发光装置及其制造方法。所述方法包括：准备基底；在基底上形成包括暴露部分基底的一个或多个开口的绝缘膜；通过向被开口暴露的基底提供III族源气体和氮(N)源气体在被开口暴露的基底上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层；通过以脉冲模式提供III族源气体和杂质源气体并连续地提供N源气体在第一导电III族氮化物纳米棒晶种层上生长第一导电III族氮化物纳米棒；在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上形成有源层；以及在有源层上形成第二导电氮化物半导体层。

公开(公告)号：CN103247730A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201310034044.1

申请日：2013-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄省元 ,  高建宇 ,  沈成铉 ,  金定燮 ,  郑薰在 ,  孙哲守

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02 ,  H01L33/20 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L33/14 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016 ,  Y10S977/734

Abstract: 本发明公开了一种紫外发光二极管及其制造方法，所述紫外发光二极管包括：n型半导体层；布置在所述n型半导体层上的有源层；布置在所述有源层上并且由p型AlGaN形成的p型半导体层；以及布置在所述p型半导体层上并且由掺杂了p型掺杂剂的石墨烯形成的p型石墨烯层。所述紫外发光二极管通过降低与p型半导体层的接触电阻并使得紫外线透射率最大化而具有提高的发光效率。