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公开(公告)号：CN107026225A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201610825789.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
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公开(公告)号：CN105190917B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201480015106.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103426988A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310189914.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/405 , Y10S977/762
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN105280773B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510431079.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/16245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件，所述下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
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公开(公告)号：CN105280773A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510431079.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/16245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件，所述下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107026225B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201610825789.3
申请日：2016-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光装置，该半导体发光装置包括：发光结构，其包括第一导电类型的半导体层、有源层和第二导电类型的半导体层；以及发光结构上的磁层。磁层可具有平行于有源层的上表面的至少一个磁化方向。磁层可产生平行于有源层的上表面的磁场。磁层可包括可具有不同的磁化方向的多个结构。在发光结构上可包括多个磁层。磁层可位于接触电极上。磁层可与焊盘电极隔离。
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公开(公告)号：CN105009307B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480010929.0
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。
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公开(公告)号：CN105190917A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480015106.7
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。
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公开(公告)号：CN105009309B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480011240.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN105009309A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480011240.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
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