公开(公告)号：CN105190917B

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201480015106.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  具奉珍 ,  H·M·崔

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20

Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。

公开(公告)号：CN105190917A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480015106.7

申请日：2014-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 车南求 ,  具奉珍 ,  H·M·崔

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08

CPC classification number: H01L33/24 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/005 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20

Abstract: 根据本发明的一方面提供了一种纳米结构半导体发光元件，包括：基层，其包括第一导电半导体；第一绝缘膜，其在基层上，具有暴露出基层的部分区域的多个第一开口；多个纳米芯，其形成在基层的暴露的区域中的每一个上，并且包括第一导电半导体；有源层，其在多个纳米芯的表面上，并且布置为高于第一绝缘膜；第二绝缘膜，其在第一绝缘膜上，具有多个第二开口，并且包围多个纳米芯和其表面上的有源层；以及第二导电半导体层，其在有源层的表面上，布置为高于第二绝缘膜。