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公开(公告)号：CN105009307B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201480010929.0
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。
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公开(公告)号：CN119317142A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202410889478.8
申请日：2024-07-04
Applicant: 三星电子株式会社 , 崇实大学校产学协力团
Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。
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公开(公告)号：CN105280773B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510431079.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/16245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265
Abstract: 本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件，所述下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
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公开(公告)号：CN105280773A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510431079.8
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/20 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2224/16245 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2224/73265 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供了一种包括下部结构的半导体发光器件，所述下部结构包括：至少一个发光区，其包括多个三维发光纳米结构；和至少一个电极区，其包括多个位置，其中，所述多个三维发光纳米结构和所述多个位置的布置方式相同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117096158A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310422743.7
申请日：2023-04-19
Applicant: 三星电子株式会社 , 崇实大学校产学协力团
Abstract: 公开了驱动电路板、电子装置和制造电子装置的方法。驱动电路板包括：多个驱动电极区域，在驱动电路板的表面上；多个驱动电极，在所述多个驱动电极区域中的每个上对称地布置；以及驱动电路，电连接到所述多个驱动电极中的至少一个，其中所述多个驱动电极包括不连接到驱动电路的至少一个虚设电极。
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公开(公告)号：CN103426988A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310189914.2
申请日：2013-05-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y99/00 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/405 , Y10S977/762
Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。
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公开(公告)号：CN105009309B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201480011240.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN105009309A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480011240.X
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/005 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24
Abstract: 本发明的一方面提供了一种用于制造纳米结构半导体发光器件的方法，该方法包括步骤：提供由第一导电类型的半导体形成的基层；在基层上形成包括蚀刻停止层的掩模；在掩模上形成多个开口，多个开口暴露出基层的多个区域；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体来形成多个纳米核，以填充多个开口；利用蚀刻停止层部分地去除掩模，以暴露出多个纳米核的侧部；以及在所述多个纳米核的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层。
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公开(公告)号：CN105009307A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480010929.0
申请日：2014-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/005 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/36 , H01L33/382 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025
Abstract: 本发明提供了一种制造纳米结构的半导体发光元件的方法，根据本发明的一方面的该方法包括步骤：在基层上形成具有多个开口的掩模；通过在基层的暴露的区域上生长第一导电半导体层来形成多个纳米芯，以填充其上的多个开口；部分地去除掩模，以暴露出多个纳米芯的侧部；在部分地去除掩模之后对多个纳米芯进行热处理；在热处理之后，通过在多个纳米芯的表面上依次生长有源层和第二导电半导体层来形成多个纳米发光结构；以及对多个纳米发光结构的上端进行平坦化，以暴露出纳米芯的上表面。
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