公开(公告)号：CN119317142A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410889478.8

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社 ,  崇实大学校产学协力团

Inventor： 吴映泽 ,  柳建旭 ,  黄京旭 ,  朴昌根 ,  宋相勋 ,  廉旼宰 ,  李圭炯 ,  黄俊式

IPC: H10D30/47 ,  H10D62/10 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D62/824 ,  H10D84/40

Abstract: 本公开提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的电子装置。一种半导体器件包括：沟道层，包括第一III‑V族半导体材料；势垒层，提供在沟道层的上表面上，势垒层包括与第一III‑V族半导体材料不同的第二III‑V族半导体材料；多个源极/漏极，在势垒层的上表面上彼此间隔开；栅极绝缘层，覆盖势垒层的上表面和所述多个源极/漏极的上表面；栅极，提供在栅极绝缘层的上表面上，栅极不与所述多个源极/漏极重叠；多个源/漏电极，电连接到所述多个源极/漏极当中的对应源极/漏极；以及栅电极，电连接到栅极，其中所述多个源/漏电极具有对角对称的布置。