公开(公告)号：CN106449936A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201610635483.1

申请日：2016-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李守烈 ,  李进馥 ,  朱铜赫

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/502 ,  H01L33/54 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/48 ,  H01L33/005

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件和一种制造半导体发光器件的方法。所述半导体发光器件包括半导体堆叠、绝缘层、电流扩散层以及第一指形电极和第二指形电极。半导体堆叠包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层；位于第一导电类型半导体层与第二导电类型半导体层之间的有源层；以及穿过第二导电类型半导体层和有源层以暴露第一导电类型半导体层的一部分的沟槽。第一绝缘层设置在沟槽的内侧壁上。电流扩散层设置在第二导电类型半导体层上。第一指形电极设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上。第二绝缘层设置在第一导电类型半导体层的暴露部分上，以覆盖第一指形电极。第二指形电极设置在沟槽中并且连接至电流扩散层。