包括发光二极管的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109427824A

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201811031098.1

    申请日:2018-09-05

    Inventor: 金载润 辛榕燮

    Abstract: 本申请提供一种包括分别包含多个子像素的像素的显示装置,其包括:包括多个LED单元的LED阵列,所述多个LED单元设置在所述多个子像素中,所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光,每个LED单元具有第一表面和第二表面;包括多个TFT单元的TFT电路,每个TFT单元布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第一表面上,并且包括源极区和漏极区和栅电极;布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第二表面上的波长转换图案,波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物,量子点被构造为发射的光的颜色与从其它波长转换图案的其它量子点发射的光的颜色不同;以及光阻挡壁,其布置在所述多个子像素中的两个之间和波长转换图案之间,以将所述多个子像素分离。

    半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110223999B

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN201910154648.7

    申请日:2019-03-01

    Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;分布式布拉格反射器层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层。

    包括发光二极管的显示装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN109427824B

    公开(公告)日:2023-09-22

    申请号:CN201811031098.1

    申请日:2018-09-05

    Inventor: 金载润 辛榕燮

    Abstract: 本申请提供一种包括分别包含多个子像素的像素的显示装置,其包括:包括多个LED单元的LED阵列,所述多个LED单元设置在所述多个子像素中,所述多个LED单元被构造为发射具有基本相同的波长的光,每个LED单元具有第一表面和第二表面;包括多个TFT单元的TFT电路,每个TFT单元布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第一表面上,并且包括源极区和漏极区和栅电极;布置在所述多个LED单元中的一个LED单元的第二表面上的波长转换图案,波长转换图案包括量子点的合成物和/或聚合物,量子点被构造为发射的光的颜色与从其它波长转换图案的其它量子点发射的光的颜色不同;以及光阻挡壁,其布置在所述多个子像素中的两个之间和波长转换图案之间,以将所述多个子像素分离。

    半导体发光装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109273572B

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN201810791156.4

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上,覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部,其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。

    半导体发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN110223999A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910154648.7

    申请日:2019-03-01

    Abstract: 提供了一种半导体发光装置和制造半导体发光装置的方法。半导体发光装置包括:发光结构,其包括多个半导体层,并且被构造为产生光和将光发射至发光结构外部;透明电极层,其布置在发光结构上;透明保护层,其布置在透明电极层上;分布式布拉格反射器层,其布置在透明保护层上,并且覆盖透明电极层的至少一部分;以及至少一个电极焊盘,其通过孔或过孔连接至透明电极层。

    半导体发光装置
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109273572A

    公开(公告)日:2019-01-25

    申请号:CN201810791156.4

    申请日:2018-07-18

    Abstract: 一种半导体发光装置包括发光结构、反射电极层和透明覆盖层。发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。反射电极层覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层位于反射电极层上,覆盖第二半导体层的上表面。透明覆盖层包括尾部,其包括第一部分和第二部分。第一部分覆盖反射电极层的边缘并且具有凸上表面。第二部分比第一部分更薄并且从第一部分延伸。

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