公开(公告)号：CN106847876A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201611087672.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋升炫 ,  金润硕 ,  张圭伯 ,  权义熙 ,  金曜澖 ,  金宗哲 ,  郑椙旭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/7855 ,  H01L29/42356

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。

公开(公告)号：CN106847876B

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201611087672.6

申请日：2016-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋升炫 ,  金润硕 ,  张圭伯 ,  权义熙 ,  金曜澖 ,  金宗哲 ,  郑椙旭

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：鳍型图案，沿第一方向延伸；器件隔离膜，围绕鳍型图案的同时暴露鳍型图案的上部；栅电极，在器件隔离膜和鳍型图案上沿与第一方向相交的第二方向延伸；栅极隔离膜，将栅电极沿第二方向隔离开，并包括第一材料；层间绝缘膜，在所述器件隔离膜上，填充鳍型图案的侧表面并包括不同于第一材料的第二材料。