公开(公告)号：CN112950530A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202011253287.0

申请日：2020-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元翼 ,  明相勋 ,  郑椙旭 ,  李成熙

IPC: G06T7/00 ,  G06T3/40 ,  G06T1/60 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 一种存储包括图像生成模型的程序代码的非暂时性计算机可读介质，该程序代码在被执行时使处理器：将包括晶片的多个半导体管芯中的一些的采样数据的输入数据输入到图像生成模型的生成器网络，并且输出指示所述多个半导体管芯的晶片图；以及将从生成器网络输出的晶片图输入到图像生成模型的鉴别器网络并鉴别晶片图。

公开(公告)号：CN116071516A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211357538.9

申请日：2022-11-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 明相勋 ,  张元翼 ,  郑椙旭 ,  崔在铭

IPC: G06T17/20 ,  G06N3/0464 ,  G06N20/00 ,  G06F30/23

Abstract: 一种三维(3D)建模方法，包括：获得表示3D结构的几何数据和包括确定3D结构的属性的因素的输入参数；根据几何数据来生成网格数据；根据网格数据来顺序地生成至少一条经下采样的数据；对输入参数进行预处理来生成3D特征图；以及基于分别与至少一个级相对应的至少一个机器学习模型，根据至少一条经下采样的网格数据和3D特征图来生成属性简档数据，该属性简档数据表示3D结构中的属性的简档。

公开(公告)号：CN117473849A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310627024.9

申请日：2023-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张元翼 ,  明相勳 ,  崔在铭

IPC: G06F30/27 ,  G06N3/042 ,  G06N3/08

Abstract: 提供了半导体装置仿真系统和方法。所述方法包括：使用半导体装置仿真器来生成与仿真的半导体装置相关联的网格；从与网格相关联的信息提取节点；使用与网格相关联的信息来提取连接在节点之间的边；关于节点和边生成图信息；将图信息施加到图神经网络(GNN)学习模型；以及响应于施加到仿真的半导体装置的状态信息的变化，使用GNN学习模型来预测网格的变化。

公开(公告)号：CN112926743A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011251713.7

申请日：2020-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许仁 ,  明相勋 ,  张元翼 ,  郑椙旭

IPC: G06N20/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 一种计算设备，包括：存储计算机可执行指令的存储器；以及处理电路，其被配置为执行计算机可执行指令，使得处理电路被配置为作为机器学习生成器操作，该机器学习生成器被配置为接收半导体工艺参数、根据半导体工艺参数生成半导体工艺结果信息并输出所生成的半导体处理结果信息；并且作为机器学习鉴别器操作，该机器学习鉴别器被配置为从机器学习生成器接收所生成的半导体工艺结果信息并鉴别所生成的半导体工艺结果信息是否为真。