公开(公告)号：CN106981487B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201610884201.1

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道善 ,  李到玹 ,  金哲性 ,  玄尚镇 ,  李俊坤

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。

公开(公告)号：CN108573969B

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN201810189472.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊坤 ,  富田隆治 ,  李道仙 ,  金哲性 ,  李到玹

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件包括至少一个鳍型有源区、在至少一个鳍型有源区上的栅线以及在栅线的至少一侧的至少一个鳍型有源区上的源极/漏极区。第一导电插塞连接到源极/漏极区并且包括钴。第二导电插塞连接到栅线并与第一导电插塞间隔开。第三导电插塞连接到第一导电插塞和第二导电插塞的每个。第三导电插塞电连接第一导电插塞和第二导电插塞。

公开(公告)号：CN115799325A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211039284.6

申请日：2022-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌炫 ,  南胜杰 ,  申建旭 ,  李到玹

IPC: H01L29/45 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导体区域之间的沟道；以及栅极结构，包括覆盖沟道的栅极绝缘膜和覆盖栅极绝缘膜的栅电极。第一源极/漏极结构进一步包括在第一半导体区域和第一电极之间的硅化物膜以及在硅化物膜和第一电极之间的导电阻挡物。导电阻挡物包括导电的二维材料。

公开(公告)号：CN108573969A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201810189472.4

申请日：2018-03-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊坤 ,  富田隆治 ,  李道仙 ,  金哲性 ,  李到玹

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/78

Abstract: 一种集成电路器件包括至少一个鳍型有源区、在至少一个鳍型有源区上的栅线以及在栅线的至少一侧的至少一个鳍型有源区上的源极/漏极区。第一导电插塞连接到源极/漏极区并且包括钴。第二导电插塞连接到栅线并与第一导电插塞间隔开。第三导电插塞连接到第一导电插塞和第二导电插塞的每个。第三导电插塞电连接第一导电插塞和第二导电插塞。

公开(公告)号：CN106981487A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201610884201.1

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李道善 ,  李到玹 ,  金哲性 ,  玄尚镇 ,  李俊坤

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L23/535 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76856 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76868 ,  H01L21/76876 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53209 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L27/0924 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871

Abstract: 本发明可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有至少一个鳍形有源区，该至少一个鳍形有源区在第一方向上延伸；栅线，在第二方向上在该至少一个鳍形有源区上延伸，第二方向与第一方向交叉；导电区域，在该至少一个鳍形有源区的在栅线的一侧的一部分上；以及接触插塞，在第三方向上从导电区域延伸，第三方向垂直于基板的主平面。接触插塞可以包括金属插塞、在导电区域上的导电的阻挡膜以及在导电区域和导电的阻挡膜之间的金属硅化物膜，该导电的阻挡膜围绕金属插塞的侧壁和底表面，该导电的阻挡膜包括富N的金属氮化物膜。