公开(公告)号：CN111323863B

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN201910579002.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李政烨 ,  金梨香 ,  辛锺和 ,  梁基延 ,  金容诚 ,  金材官 ,  李昌承 ,  N.韩

IPC: G02B5/30 ,  G02B5/00

Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。

公开(公告)号：CN114203904A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202110490254.6

申请日：2021-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋政奎 ,  金润洙 ,  李周浩 ,  N.韩

IPC: H01L49/02 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种电子器件，其包括：下电极；上电极，与下电极隔开而不与下电极直接接触；以及在下电极和上电极之间的电介质层，该电介质层包括第一金属氧化物区域、第二金属氧化物区域以及第三金属氧化物区域。第三金属氧化物区域在第一金属氧化物区域和第二金属氧化物区域之间，并包括硼和从铝(Al)、镁(Mg)、硅(Si)或铍(Be)选择的一种或更多种金属元素。在第三金属氧化物区域中，硼(B)的含量小于或等于Al、Mg、Si和/或Be的金属元素的含量。

公开(公告)号：CN111323863A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201910579002.3

申请日：2019-06-28

Applicant: 三星电子株式会社 ,  韩国科学技术院

Inventor： 李政烨 ,  金梨香 ,  辛锺和 ,  梁基延 ,  金容诚 ,  金材官 ,  李昌承 ,  N.韩

IPC: G02B5/30 ,  G02B5/00

Abstract: 提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。