公开(公告)号：CN117065136A

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202310397217.X

申请日：2023-04-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔源提 ,  徐亨兑 ,  W·洪 ,  金廷勋 ,  河泰信 ,  朴永珍 ,  崔岘焘 ,  D·许

IPC: A61M5/142

Abstract: 本公开涉及一种液体供应装置和液体供应系统。该液体供应装置包括：配置为容纳液体的腔室；注射头，设置在腔室的第一侧并配置为喷射液体；以及从腔室的第二侧朝向腔室的内部延伸的活塞，其中腔室包括配置为储存液体的第一区域以及在第一区域和注射头之间的第二区域，并且其中活塞被配置为在第一区域和第二区域之间选择性地密封或传送液体，并且按压第二区域中的液体以从液体供应装置排出液体。

公开(公告)号：CN104103671B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。

公开(公告)号：CN120079116A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202411172955.5

申请日：2024-08-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承渊 ,  金保成 ,  徐圣镇 ,  张珉洙 ,  张峻源 ,  全贤贞 ,  崔岘焘 ,  D·许 ,  W·洪

IPC: B01D1/00 ,  B01J19/00 ,  B01L3/00

Abstract: 提供了一种液体处理装置和包括液体处理装置的液体处理系统。该液体处理装置包括：存储液体的容器；容纳容器的至少一部分的腔室；在腔室中的至少一个传感器；密封装置，连接到腔室，并配置为密封容器；驱动装置，配置为向腔室和密封装置提供驱动力，其中腔室和密封装置在保持处于单向状态时往复运动，并且其中所述至少一个传感器感测容器的内部。

公开(公告)号：CN104103671A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410175362.4

申请日：2014-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  卞卿溵 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  D·许 ,  禹轮成 ,  李东郁 ,  李载昊 ,  郑现钟 ,  许镇盛 ,  柳寅敬

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/52

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/028 ,  H01L31/08 ,  H01L33/34 ,  H01L51/0046 ,  H01L51/0504 ,  H01L51/0558 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/0566 ,  H01L51/057 ,  H01L51/428 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明提供石墨烯器件和包括石墨烯器件的电子设备。根据示例实施例，石墨烯器件包括：包括源极、栅极和漏极的晶体管；有源层，载流子通过其移动；以及在栅极和有源层之间的石墨烯层。石墨烯层可被配置为既作为有源层的电极又作为晶体管的沟道层。